电子封装铝基复合材料线膨胀研究

本文阐述了电子封装铝基复合材料的制备过程，测试出铝基复合材料线膨胀系数。发现经不同冷却处理或者测试不同的方法，其线膨胀都不一样，根据残余应力和择优取向理论解释了这种现象。     

电子封装用Sip/Al复合材料的热物理性能研究

采用挤压铸造法制备了Sip/A l复合材料。材料组织致密,增强体颗粒分布均匀。热物理性能研究表明,复合材料的热导率大于90 W/(m.K),线膨胀系数可在(7.48~9.99)×10-6/K范围内调整。增加基体合金中的Si含量有利于降低材料的线膨胀系数,但同时也会使热导率降低。对复合材料进行退火处理可有效降低其线膨胀系数,提高热导率。Sip/A l复合材料作为新型环保复合材料已经基本满足电子封装高导热、低膨胀的使用要求。     

SiCp / Al 复合材料焊接技术的研究现状与展望

阐述了SiCp/Al复合材料(PEA)焊接过程中的常见问题及相应的解决措施.对国内外PEA焊接的研究进展进行了综述及评价,并且对其发展前景进行了展望.     

AlSi7Mg0.3/SiCp复合材料低压铸造

介绍了颗粒增强铝基复合材料低压铸造的优越性及过程的动态特征.试验测定了含SiC15%(体积分数)、基体合金为AlSi7Mg0.3的复合材料重力铸造和低压铸造的流动性、抗拉强度、延伸率、孔隙率和颗粒分布均匀性.     

电子封装铝基复合材料热循环曲线研究

研究了热循环对铝基复合材料热膨胀和冷却收缩曲线的影响。发现电子封装纤维增强铝基复合材料的热循环曲线是不封闭的。热循环曲线的形状、不封闭程度同增强体的种类、测试方向、热循环温度区间以及热循环次数等因素有关。利用细观力学理论较好地解释了这些现象。     

适合航空航天用SiCp/Al复合材料的性能

采用粉末冶金法制备了Φ300 mm的15%(体积分数)SiCp/A l复合材料坯锭,研究了热挤压、锻造后的材料力学性能以及断裂特点。结果表明,该材料的弹性模量在97 GPa、拉伸强度保持在550 MPa的水平下,延伸率仍高达7%左右,旋转弯曲疲劳强度在250~290 MPa范围内,断裂韧性为25 MPa.m1/2,冲击韧性为62.5 kJ/m2。与棒材挤压态相比,T4态复合材料拉伸强度和屈服强度分别提高66.7%和100%,但塑性保持在同一水平。断口观察表明,挤压态复合材料以基体韧性断裂为主要形式,而T4态复合材料除了基体韧性断裂外,还存在SiC颗粒断裂现象。挤压棒材锻造后有利于提高材料的横向强度。     

SiC_p/Al复合材料焊接技术的研究现状与展望北大核心CSCD

阐述了SiCp/Al复合材料(PEA)焊接过程中的常见问题及相应的解决措施。对国内外PEA焊接的研究进展进行了综述及评价,并且对其发展前景进行了展望。     

聚合物基电子封装复合材料研究进展

综述了聚合物基电子封装材料的基本性能要求并分析了其影响因素,阐述了聚合物基电子封装材料的复合原理和结构设计思想,展望了聚合物基电子封装材料的发展趋势。     

碳化硅颗粒增强铝基复合材料的研究

采用加压浸渗法成功制备了SiC_p/Al(纯)复合材料,探讨了加压浸渗工艺并测定了复合材料的力学性能。试验结果表明,向SiC颗粒内加入适量添加剂后制成的预制件,更有利于铝液的渗透,从而能有效地提高复合材料的强度。试验结果还表明,在本试验范围内(SiC颗粒体积分数30％～50％,颗粒粒径0.1～5μm),复合材料的强度随SiC百分含量的增加而增加,随SiC颗粒粒径的减小而呈上升趋势。     

无压浸渗法制备SiCp / Al 电子封装基板及其性能

采用无压浸渗法制备出电子封装用高体积分数SiCp/Al复合材料基板,研究了主要合金元素对浸渗过程的影响和SiC体积分数对复合材料热物理性能的影响.结果表明:合金中Mg元素能促进界面润湿,Si元素能减小有害界面反应的发生;随着SiC体积分数的增加,复合材料的热导率和线胀系数都呈下降趋势,当SiC体积分数为65%左右,热导率下降幅度减缓;当SiC体积分数为68%左右时,线胀系数显著降低.     

界面相对3D-C/SiC复合材料热膨胀性能的影响

利用减压化学气相浸渗（LPCVI）技术制备了3D C/SiC复合材料,从热解碳（PyC）界面相厚度对界面结合强度和热应力的影响出发,研究了界面相对复合材料热膨胀性能的影响。结果表明:①界面相厚度对3D C/SiC复合材料热膨胀性能的影响主要归因于其对界面结合强度和脱黏面上的滑移阻力的影响。在一定厚度范围（约70～220nm）内,材料的热膨胀系数随热解碳厚度的增加而逐渐降低;②热处理可提高材料的热稳定性,并通过改变材料内部结构,使热应力重新分布,对复合材料的高温热膨胀产生显著影响,但是,并没有改变基体裂纹的愈合温度（900℃）。     

SiC颗粒增强Al基复合材料焊接工艺研究

通过SiC颗粒增强Al基复合材料与Al合金的焊接工艺试验研究，重点分析了材料组合，保湿工艺，连接时间等工艺参数对连接接头性能的影响以及连接接头的微观组织及成分分布，研究表明，TLP扩散连接是一种适用于复合材料连接的重要方法，在相同工艺条件下，LF6／SiCp-6061Al的接头性能明显优于LF6／SiCp-2024Al，连接时间过短或过长，都将影响到接头性能，并且连接时间对不同材料组合的影响也不同，采用二次保温工艺可以较大幅度地提高接头性能。     

ZL101泵壳凝固成形工艺设计数值仿真优化

针对ZL101泵壳设计了两种不同的浇铸系统,借助FEM方法完成了充型流动场、凝固固相场与疏松分布的数值计算对比分析。结果表明:采用底注式浇铸系统,合金熔体充型平稳,型腔内部充型初期卷入的气体可有效排出,凝固次序为自上而下与自内向外的逐层凝固,T5热处理后本体试样平均抗拉强度、屈服强度与延伸率分别为334.5、274 MPa与5.8%,满足了HB962-2001Ⅱ类铸件的技术指标要求。     

CVD-SiC反射镜制备过程中热应力变形的研究

采用CVD工艺在反应烧结碳化硅(RB-SiC)反射镜坯体上沉积了一层致密的碳化硅薄膜作为反射镜镜面.CVD-SiC和RB-SiC热物理性能上的差异引起的热残余应力和热变形,在很大程度上影响反射镜的质量,本文采用有限单元法计算了沉积过程中反射镜的温度场、应力场和热变形,采用X射线衍射方法测试了薄膜表面的残余应力.分析结果表明,薄膜存在较大的残余应力,包括热应力和本征应力,两者量值相当,热变形很小.     

前驱体浸渍裂解过程中SiC/SiC复合材料微观工艺应力模拟研究

前驱体浸渍裂解工艺（PIP）是SiC/SiC复合材料的一种近净成形制备方法,但前驱体裂解过程中产生的应力阻碍了该工艺的产业化应用。本文构建了一种化学-力学耦合模型来研究前驱体裂解过程中应力的产生和演化机理。首先以反应动力学模型描述了前驱体的裂解过程;其次基于三相球模型建立了一个解析模型计算基体的均匀化力学性质;最后结合上述模型构建了有限元模型,在微观尺度模拟计算了代表性体积单胞（RVC）内的工艺应力演变。结果表明：基体在贫基体的界面处承受显著的环向拉伸应力;对于由纯前驱体组成的基体,基体内的工艺应力主要是由裂解过程引起的化学收缩导致的,受温度引起的热膨胀影响较小;随着PIP循环次数的增加,化学收缩和热膨胀的角色发生互换。     

金属基复合材料的热残余应力研究进展

综述了金属基复合材料热残余应力的研究进展,分析了复合材料中热残余应力的产生条件及松弛行为;介绍了热残余应力的理论分析及测量方法;讨论了热残余应力对复合材料组织结构及性能的影响,并指出有待深入研究的问题。     

Compression Creep Behavior of High Volume Fraction of SiC Particles Reinforced AI Composite Fabricated by Pressureless Infiltration

The compression creep deformation of the high volume fraction of SiC particles reinforced AI-Mg-Si composite fabricated by pressure-less infiltration was investigated. The experimental results show that the creep stress exponents are very high at temperatures of 673 K, 723 K and 773 K, and if taking the threshold stress into account, the true stress exponent of minimum creep strain rate is still approximately 5, although the volume fraction of reinforcements is very high. The creep strain rate in the high volume fraction reinforced aluminum alloy matrix composites is controlled by matrix lattice diffusion. It is found that the creep-strengthening effect of high volume fraction of silicon carbide particles is significant, although the particles do not form effective obstacles to dislocation motion.