量子阱和碲镉汞红外探测器性能的对比分析

红外（ＩＲ）探测器技术对弹道导弹防御的各个方面的都是至关重要的。传统的材料系统,象锑化甸（ＩｎＳｂ）、硅化铂（ＰｔＳｉ）、碲镉汞（ＭＣＴ）和砷掺Ｓｉ：Ａｓ）占据了红外探测领域。但随着监测探测器和拦截导引头的引进,要求在中波（ＭＷ）、长波（ＬＷ）和超长波（ＶＬＷ）红外波段具有大面积、高无效性和多色（或多光谱）红外焦平面阵列器件。建立在晶格匹配基础上的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和应变层ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡ     

GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的辐射效应

本文阐述了量子阱红外探测器性能的质子辐射效应试验结果。     

带有CMOS电路的GaAs／AlGaAs多量子阱长红外128线列焦平面探测器

本文讨论了带有１２８元线列ＣＭＯＳ读出电路的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱长红外（中心波长９．０μｍ）１２８元线列焦平面组件（以下简称１２８元探测器）并成功进行红外热成像演示,该１２８元探测器由１２８元线列多量子阱探测器与互型金属一氧化物－半导体（ＣＭＯＳ）多路传输器互连,安装在液氮低温致冷器中,通过驱动电路,视频信号处理电路,Ａ／Ｄ转换电路和５８６计算机进行了红外成像演示。     

GaAs／AlGaAs多量子阱红外控制器耦合效率与光栅周期关系的研究

我们详细研究平面金属光栅耦合ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱红外光探测器耦合量子效率对光栅周期的依赖关系。为进行这项研究我们制备了光栅周期λ＝１．１，３．２，５．７和１０μｍ五种不同的探测器样品。     

国外量子阱焦平面阵列器件的现状

国外红外量子讲光电探测器的发展主要表现在面阵象元的大量增加，探测器性能的快速提高，光栅耦合技术的成功使用，读出集成电路的不断改进，探测器工作温度的提高以及双色或多色量子阱探测器的广泛研究。     

GaAs／AlGaAs多量子阱材料的红外吸收谱研究

本文利用分子束外延的技术与设备，进行了量子阱红外探测器材料的设计与生产，对于不同结构参数的样品Ｓ１－Ｓ４进行了红红外吸收的测试，得到了它们的吸收谱，并进行了吸收谱的分析。     

应用LP—MOCVD方法研制InGaAs／InP应变量子阱LD

（在CP—MOCVD生长过程中）本文研究生长温度和生长过程对PN结结位的影响,并用它来控制InGaAs／InP量子阶激光器的p－n结结位,还探讨了在InP材料中使用DEZn和H2S做掺杂源时P型和N型的杂质浓度和PN结控制的条件,得出在0.5％压缩条件下有源区阶层InGaAs和InP的应变量子层激光器。用这一LD结构实现室温脉冲激射时,我们可获得峰值功率为106mW以上、阈值电流密度为2.6kA／cm2的应变三量子阱激光器。