共查询到8条相似文献,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
Ku波段低噪声放大器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
设计一款Ku波段低噪声放大器,放大器采用两级PHEMT晶体管(VMMK1225)级联结构,单电源供电模式。应用微波仿真软件ADS对匹配电路进行优化设计,在11.7GHz~12.5GHz的工作频段内放大器噪声系数小于0.23 dB,带内增益大于31dB,输入、输出驻波比小于1.6。仿真结果表明,设计完全满足性能指标要求。 相似文献
3.
卫星的小型化、低功耗和低成本的发展趋势,推动了对小卫星高集成度的研究。文章首先分析了小卫星"微型核"通信系统前端的结构;然后采用0.18μm CMOS工艺给出了工作在2.4GHz的单片低噪声放大器的设计。ADS仿真结果表明:电路的增益为14.878dB,噪声系数为2.781dB,功耗为14.44mW,输入三阶交截点为4.49dBm。 相似文献
4.
5.
介绍了一种采用0.25um SiGe BiCMOS工艺集成的低压低功率X波段低噪声放大器(LNA),比较了此种放大器与IEEE 802.11a LNA的设计。X波段LNA和IEEE 802.11a LNA的工作频率分别为10GHz和5.8GHz。所设计的LNA都采用了相同的结构和电压,并耗费同量的电流。两种LNA都只需要1.5V的电压,消耗1.5mW的直流功率。两种电路的差异是它们有不同的输入与输出匹配和负载。本文介绍的LNA在10GHz时的电压增益为11.49dB,噪声系数(NF)为3.84dB,输入反射损失为-15.37dB,输出反射损失为-17dB,P1dB为-3.75dBm。在5.8GHz时的电压增益为16.07dB,噪声系数为3.07dB,输入反射损失为-18.1dB,输出反射损失为-15.23dB,P1dB为-6.54dBm。两电路的关键特征是:低压、低功率和良好的噪声匹配。频率为IOGHz和5.8GHz时,噪声系数与最小噪声系数之差分别只有0.03dB和0.05dB。验证了一种高频(X波段)低成本设计,与其他技术(如GaAs、SiBJT、JFET、PHMET和MESFET等)相比,它是在SiGe BiCMOS中设计的。 相似文献
6.
7.
介绍了一种用于人造卫星上的热管的制造工艺概况 ,着重讨论了几个值得注意的工艺问题并提出解决措施。指出工质充装量要准确就必须实测孔隙率 K;管芯制做时首先要使模具 (心棒 )的尺寸公差控制在适当范围内 ;真空度要适当高 ;封口切割作用力要适当。 相似文献