2MHz窄带晶体滤波器的研制

介绍中心频率2MHz,3dB带宽180～200Hz,通常波动小于0.5dB,阻带衰减大于70dB,矩形系数B_(60)/B_3<2,插入损耗小于3dB,输入、输出阻抗均为75Ω,体积为长81mm×宽31mm×高29mm的晶体滤波器的研制.该晶体滤波器的技术指标达到日本MWS-672型抖晃校准仪上用的同种晶体滤波器的技术指标.     

电子对抗用500kHz晶体滤波器的研制

介绍500kHz晶体滤波器在电子对抗设备中的应用和设计制作。该滤波器用于电子对抗OOK信号提载波电路中,用网络综合法设计,采用两节四晶体窄带差接桥式电路结构,达到的技术指标为:中心频率f_0=500kHz;3dB带宽B_3,一种为180～190Hz,一种为460～480Hz;带内波动Ar<0.5dB;阻带衰减As>50dB;矩形系数B_(40)/B_3=3.1～3.3;插入损耗A_0=3～4dB;输入阻抗R(in)=输出阻抗R_(out)=820Ω。     

75MHz高衰减小矩形系数晶体滤波器的设计制作

介绍中心频率75MHz、6dB带宽9～10kHz,通带波动小于idB、阻带衰减大于65dB、矩形系数B40/B6<2、插入损耗小于6dB、输入输出阻抗均为50Ω、体积为42mm×20mm×18mm的晶体滤波器的设计制作。该晶体滤波器用综合法设计,采用三节六晶体窄带差接桥式带通晶体滤波器的电路结构,用比高频滤波器效果更好的电容分压的方法进行阻抗变换,不用常用的差接变量器进行阻抗变换。该晶体滤波器的技术指标优于用户提出的技术指标,接近北京无线电仪器二厂1986年引进的西德R/S公司生产的ESH3型电磁干扰测试接收机上所用同种晶体滤波器的技术指标。整机用后认为该滤波器性能良好,满足了整机的设计要求,样机于1989年12月通过设计定型鉴定。     

用于数字用户传输系统的定时槽路机械滤波器

本文阐述定时槽路机械滤波器的设计方法和实验结果。复合纵模变换器通过附加一层恒系数合金片至压电陶瓷片的每一个电极表面而被做成夹层结构。对变换器的等效电路常数和三次纵模引起的寄生响应的抑制作了分析。实验滤波器的尺寸是:20L×12W×5Hmm,它与14脚双列直插式集成电路的尺寸相同。滤波器的中心频率为200KHz,其插入损耗低达0.5～0.7dB,而3dB带宽为2.1～2.4KHz。在中心频率下输入输出的相位差约为40°,相位线性度非常好,其相位斜率低达0.07～0.08/Hz。在0～1.5MHz频率范围内衰减频带为30dB或更大,改善了设备的信噪比。滤波器的输入/输出阻抗在8.5～8.9KΩ之间,它与CMOS电路的阻抗匹配是满意的。温度特性表明,在5～60℃之间插入损耗的变化为0.6dB,而相位变化为11°。     

低噪声宽频带隔离放大器

本文介绍一种隔离放大器的设计方案。依据这一方案可进行实际安装和调试。测试结果表明,方案是可行的。工作于5MHz时,隔离度>100db,相位噪声S_φ≤-150db(f_(11)=10Hz—10KHz),半功率带宽≥70MHz,σ_y(τ)<1×10~(-12)/秒。此外,线路调整简单,工作稳定,通用性强。     

一种采用介质谐振器的X波段GaAsFET振荡器

一种采用介质谐振器的高稳定X波段GaAsFET振荡器已经研制出来。这种振荡器的频率稳定度低于±1MHz(-40℃～85℃),其外形尺寸大大地缩小了(20.3mm×12.6mm×8.8mm)。为介质谐振器研制了一种新材料Ba(NiTa)为O3—Ba(ZrZnTa)为O3,这种新型材料具有非常高的Q值和高的温度稳定性。在10GHz和Tf=0ppm/℃时,谐振器的特性为K=29,Q=10000。     

非整数频标测量系统通过鉴定

航空航天部第一研究院于1992年3月24日对102所研制的“非整数频标测量系统”进行了技术鉴定,中国计量科学院、北京市计量科学研究所以及航空航天部的101所等五个单位的专家参加了鉴定会。经过认真评审,认为: 该系统利用现有仪器与自行研制的宽频带频率变换器组成了一种新的非整数频率测量装置,其测量范围为1～80MHz,测量不确定度达到3×10~(-11)/s(小于10MHz时)和5×10~(-12)/s(大于和等于10MHz时)。频度变换器的研制是本系统的关键,它采用双平衡     

自动网络测试系统

本文介绍计量院研制的自动网络参数测试系统。它被用作网络参数国家标准装置。为了提高测量准确度,系统硬件采用了多项先进技术方案,同时研制了新的功能更强的系统应用软件。测试系统工作频带:100～2000MHz,量程可达70dB。反射系数测量不确定度△Г≤±1.5×10~(-3)(1+A) △φ≤±(0.2+tg~(-1)(0.0015)/Г)°.传输系数测量不确定度△A≤±(1×10~(-2)+5×10~(-4)A)dB,Aθ≤±0.2° A<40dB。     

30MHz窄带晶体滤波器的综合法设计及其温度特性、自然老化特性

本文介绍近几年来用综合法设计用于雷达、接收机、频率综合器及其它测试仪器的相对带宽为5×10~(-(?))～2×10~(-4)的30MHz 窄带晶体滤波器,给出了设计实例和测得的频率衰减特性、温度特性和三年自然老化特性的测试结果。对所测结果作了简要分析,得出窄带晶体滤波器中心频率在温度变化和自然老化中的变化规律,提出了在宽温度范围长期工作的窄带晶体滤波器的通带宽度要求,以及改善窄带晶体滤波器的温度特性和老化特性的措施。     

欧洲最大的热真空试验设备

苏联化工机械研究所最近建成了一台欧洲最大的热真空设备。其容器直径为17.5m,高22m,总容积为8300m3,顶部大门直径14.8m,工作区呈圆柱形,其直径为6m,高22m。它的真空度为1.33×10~(-3)Pa,热沉温度≤100K,热沉壁的太阳吸收系数As=0.95±0.02,其辐射系数ε=0.9±0.03。此设备配有太阳模拟器、红外模拟器、支撑旋转装置、保持热工况的液体系统、供气系统、高灵敏检漏系统、肉眼及电视观察     

一种新的频稳分析仪WH—91

目前国内好的晶振秒级稳定度已达到2～3×10~(-13)/s,氢钟1000~5以上稳定度已优于几×10~(-14)。国内市场可见的仪器难于满足上述指标的测量,因此研制了一种可满足上述指标的测量仪器——种新的频稳分析仪WH-91,分析了引起误差的各种因素,给出了实测结果,测得非优选8601晶振的秒级稳定度为5×10~(-12)/s,与该晶振的出厂指标符合良好。     

3GHz低噪声倍频器的结构设计

一、引言 3GHz低噪声倍频器主要用于三座标雷达发射和接收系统捷变频率合成器中。它具有极好的短期频率稳定度及频谱纯度。文中着重介绍了倍频器结构的设计方案。在设计中采用了微带技术,封闭式隔离屏蔽及三板线传输带型式,经测试获得了较好效果。实验结果达到;短期频率稳定度σ_y(τ)优于1.7×10~(-10)/ms;5.5×10~(-11)/10ms;￡(f):—105dB/Hz(1kHz);-115dBc/Hz(10kHz)。杂波抑制度大于60dB。上述指标相当于或超过美国HP8672频率综合器中倍频器的技术水平。     

5.2兆赫宽带晶体滤波器的试制

一、概述随着通讯和频率控制技术的迅速发展,滤波器的应用范围越来越广。对滤波器,不仅在稳定性和选择性方面提出了越来越高的要求,而且在带外防卫度方面也提出了严格的要求。滤波器的种类很多,早先是传统的LC滤波器,后来又出现了多种新型滤波器,诸如晶体滤波器、陶瓷滤波器、有源滤波器和数字滤波器等。这里介绍一种5.2兆赫晶体宽带滤波器。主要讨论其带宽的控制和阻带寄生衰减的抑制,并简要介绍滤波器的设计和调试的全过程。分立式晶体宽带滤波器,是由石英谐振器,电容器及电感线圈等分立元件组成。其滤波特性,除了取决于石英谐振器的等效参数以外,还与展宽线圈的关系甚大。晶体滤波器的带宽,取决于石英谐振器的串并谐振和反谐振之间的间隔,即取决于滤波晶体的等效电路的静电容C_0与动态电容C_s之比r,即r=C_0/C_(so)如采用狭带     

加速度灵敏度优于2×10~(-10)/g的SC切10MHz高Q晶体的设计

力一频效应的理论和实验研究证明,晶体谐振器的加速度灵敏度直接与装架的位置和结构有关。本文的目的就是要阐明低灵敏度晶体谐振器的一种新的设计方法。加在晶体振动部份的表面力和体积力的影响都必须加以考虑。本文将详细介绍这种新的设计方案。统计结果表明,目前在工业上在最不合适的轴向上能够达到的加速度灵敏度在3×10~(-11)/g和2×10~(-10)/g之间。这些数值是用相位调制反射计或用传统的振荡器以“2g翻转”测试法在所有方向上进行试验测得的(均以5MHz和10MHz加以说明。)     

氮化铝薄膜及复合体波谐振器

为了在超高频范围内对基模振荡器进行控制和运用滤波器,开展了对于小型体波谐振器的基本材料和器件特性的研究。本文报道了氮化铝(ALN)在构成复合谐振器几何形状和边缘支撑型晶片结构方面的性能。 ALN薄膜是在直流平板磁控管溅镀装置中,用中间电极溅射出来的AL和等离子气体中的N_2之间的等离子体反应生成的。一般溅镀条件是:溅镀压力=1×10~(-3)毛,空气含氮量=99.999％基片温度=200℃,直流功率-225瓦,溅镀率=1.2微米/小时。ALN薄膜的品质用扫描式电子显微镜(SEM)、X射线衍射法和奥格(Auger)电子分光镜进行鉴定。检测结果说明,溅镀的ALN薄膜具有严格的晶向结构,其C轴垂直于Si(硅)基片表面。对于由1.7微米ALN薄膜和8微米Si基片组成的谐振器,测出的基频串联谐振频率为328.53兆赫,基频并联谐振频率为328.61兆赫。这种规格谐振器的Q值约有7500,它在-20℃至+120℃范围内的实测温度系数约为-4×10~(-8)/℃。对于具有1.7微米ALN薄膜和6微米Si基片的谐振器,实测的温度系数是-6×10~(-6)/℃。这种规格谐振器的Q值约为5000,它的基频串联谐振频率是524.11兆赫,而基频并联谐振频率是524.45兆赫。应用微电子半导体加工技术,已经制成了边缘支撑型ALN晶片。晶片厚度为1.0至7微米,面积约为300平方微米。这种晶片是边缘支撑型的,这与以前报道的底膜支撑型薄膜是不相同的。厚度为6.5微米的典型ALN晶片在790兆赫附近产生基模谐振,耦合系数为10.3％。在-20℃至120℃范围内测得的温度系数可达到-20.5×10~(-6)/℃。目前,已按外延特性制造出具有水平C轴的氧化锌ZnO晶片。这种晶片显示出切变波谐振特性,这意味着晶片有很高的谐振Q和比较简单的模式结构。     

一种新型的微机补偿晶体振荡器及开发系统

提出了一种新型的以微处理器为核心的AT切温度补偿晶体振荡器 (MCXO)的设计思想 ,说明了其开发系统的原理 ,给出了最后的实验结果。使用该开发系统得到的这种振荡器可以工作在 - 40℃～ 85℃的环境内 ,频率—温度稳定性≤± 5× 10 - 7。     

低温下工作的石英晶体振荡器

本文介绍石英晶体谐振器在低温下工作的性能试验结果及其在高稳定振荡器中的应用。已经对两种不同型号的晶体谐振器进行了测试:BVA_2型设计(无电极设计)的5MHz谐振器和常规设计的5MHz、五次泛音 AT 切谐振器。在4.2K 时 Q 值大约增加了一个数量级。低于4.2K 时所测出的上述每一种谐振器的 Q 值均无明显的增加。对于这两种型号的晶体,各取一只样品,在靠近2K 时的温度系数和4.2K 时的数值相比较是显著降低了。BVA_2型样品在靠近2K 时的温度系数为3×10~(-10)/K。同一只晶体在靠近2K 时所得到的幅频效应表明,在10~(-7)瓦以上时频率随晶体耗散功率的变化是很大的。本文给出了采用在低温下工作的石英晶体谐振器来稳定振荡器系统的某些结果。     

AlGaAs激光器的频率稳定

本文主要报道AlGaAs激光器谱线宽度的测定及频率稳定方面现已完成的工作,并相应说明其有关的应用。实验证明,谱线宽度可以减窄至1MHz。曾采用法布里一珀罗(Fabry-Perot)干涉仪,水及铷~(85)吸收谱线作为参考标准,以改善长期(τ≥ls)频率稳定度,相应所达到的阿仑方差σ~2方根值的最小值分别为:2.0×10~(-11),1.1×10~(11)和1.4×10~(-12)(在τ=100s时)。采用外光栅的激光器,最佳σ为3.2×10~(-12)(在τ=100s时)。经多项试验已完成了改进短期频率稳定度(τ相似文献   

21世纪初中国Ku频段电视直播卫星方案（上）

1　中国电视直播卫星方案研究的依据□□研究和制定我国电视直播卫星方案首先要了解我国卫星通信广播业务发展现状和未来需求 ,了解当代通信广播卫星的技术水平和发展趋势 ,还要了解我国有关部门制定的发展规划和国际电信联盟有关规定等。1.1　 1977年和 1997年国际电信联盟规划关于中国 Ku频段电视直播卫星的建议·中国分配到的轨道和频率资源如下。卫星广播频段 :11.7GHz～ 12 .2 GHz。轨道位置 :4个 ,即 6 2°E、79.8°E、92°E、12 2°E。波束 :36个 ,即 6 2°E9个 ,79.8°E11个 ,92°E15个 ,12 2°E1个。各波束长轴最大宽度为 3.…     

考虑过载迟滞效应的一个新模型

根据有效残余压应力的概念,并考虑基本循环中残余压应力的松弛,导出了计算过载后裂纹扩展速率的公式其中(da/dn)_0为未受过载影响的扩展速率,u=1 (1-α)λ-(1-α)(k_(ap)/Δk_b),及应力松弛系数 用本文方法对铝合金Ly12,2024,钛合金Ti—6Al—4V等试件在不同载荷情况下的过载迟滞期进行了计算。如令系数n=4,发现计算结果与实验结果符合得相当好。