CdS纳米晶体的合成与表征

以四甲基二硫化秋兰姆(TMTD)为新型有机硫源,与醋酸镉在不同的反应温度、时间下合成出纳米CDS晶体,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线粉末衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)等手段研究了CDS纳米晶体的结构和形成.结果表明,反应温度、时间对CdS晶体的形貌和组成有影响,随温度升高,晶体形貌从粒子聚集体过渡到花形结构,同时讨论了纳米晶体的形成机理.     

无溶剂微波法合成咪唑基离子液体的研究

文章研究了微波法合成咪唑基离子液体1-丁基N-甲基咪唑四氟硼酸盐([bmim]BF4),产物经红外表征与预期一致;与传统溶剂合成法比较,溶剂合成法影响产率的主要因素为溶剂类型、反应温度和时间,而微波法则主要受微波功率和辐射时间的影响.实验结果表明,微波法能有效地合成离子液体.合成过程无需溶剂.理想的合成条件为微波功率280W,辐射时间为5分钟,产率可达95.7%.     

银纳米线的合成及其透明导电膜的性能研究

采用溶剂热法制备银纳米线(AgNWs),通过控制实验过程中的聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和硝酸银的比例及氯离子与银离子的摩尔比研究这些参数对AgNWs长度及直径的 影响。研究发现,当PVP与硝酸银的摩尔比为4.5∶1且氯离子与银离子的摩尔比为2∶85时,银纳米线具有较合适的长度及直径且在溶液中具有优越的分散性,适合于导电膜的制备。采用该参数银纳米线制备出的导电膜最高品质因子达到24,高于掺锡氧化铟(Indium tin oxide,ITO)薄膜的品质因子9,且具有较好的抗弯折性能。结果表明,银纳米线透明导电薄膜在有机太阳能电池(Organic photovoltain,OPV)和有机发光二极管(Orgnic light emitting diode,OLED)等柔性电子器件领域有很大的应用潜力。     

主动反共振隔振装置的研究(二)试验研究

本文从试验角度研究主动反共振隔振装置中各参数对隔振性能的影响,并验证了理论分析的正确性。     

基于灰色GM(1,1)模型的桂林市GDP预测研究

分析和预测国内生产总值(GDP)发展数据对预测国家或地区经济发展有很大的参考作用,为此提出了一种基于灰色理论的桂林市GDP预测的改进GM(1,1)模型。为克服GDP历史数据波动的特点,对历年桂林市GDP原始数据进行平滑处理与初始条件的修正,提出了一种新的改进GM(1,1)预测模型,并对其进行预测精度等级评价。以桂林市GDP历史数据实例进行检验与对比,结果表明该预测方法的可行性和有效性具有较高的预测精度和准确度,可作为桂林市国民经济发展的决策参考。     

基于优化加权高分辨距离像的雷达目标识别(英文)

对雷达目标高分辨距离像进行特征加权可以解决高分辨距离像各距离单元因目标姿态变化而导致的稳定性不一致问题。针对已有加权系数求解方法存在的不足,提出一种加权系数优化方法。该方法通过定义目标函数来度量不同雷达目标之间加权高分辨距离像的可分性,并采用梯度下降算法优化加权系数值,从而达到增强高分辨距离像稳定距离单元作用,减小不稳定距离单元影响的目的。基于5种飞机目标模型高分辨距离像的仿真实验表明,该方法可以有效优化加权系数,并提高雷达目标识别率。     

硫源种类对微波合成CZTS颗粒与薄膜性能的影响

研究不同硫源对微波液相合成的Cu２ＺｎＳｎＳ４（CZTS）纳米颗粒尺寸及形貌的影响。结果表明：当采用硫脲作为硫源时,所制备的CZTS纳米颗粒为平均尺寸500 nm的球状结构纳米颗粒;采用L 半胱氨酸作为硫源所制备的CZTS纳米颗粒为50 nm的空心球状纳米颗粒;而当使用硫代乙酰胺作为硫源制备CZTS纳米颗粒,其平均尺寸仅为3 nm。采用 平均尺寸为500 nm或50 nm的纳米颗粒制备墨水,将墨水旋涂到衬底上时,其致密性很差,明显存在许多孔洞。当采用平均尺寸为3 nm的纳米颗粒制作墨水,并将其制成薄膜时,薄膜致密性与均匀性都比较好。将最佳的预制薄膜进行硫化处理,其结晶性明显提高,并得到转化效率为2.1%的CZTS太阳电池。     

新的被动自适应起落架缓冲器设计与着陆性能研究(英文)

研究了一种双腔双阻尼的被动式自适应缓冲器;给出了此缓冲器的数学模型,并基于动力学仿真软件ADAMS建立了该缓冲器的虚拟样机;分析了该缓冲器的着陆动态性能及其主要参数对全机着陆动态性能的影响.分析表明:在使用功条件下,自适应缓冲器的着陆性能比单腔变油孔缓冲器性能略好;而在粗暴着陆条件下,自适应缓冲器的过载远小于单腔变油孔缓冲器,起到主要减载作用.增大高压腔、低压腔体积或增加低压腔压力或减小高压腔压力均可使自适应缓冲器的过载减少.     

高温下IC10合金的动态再结晶特性研究(英文)

为了研究IC10合金的动态再结晶特性,利用MTS809材料测试系统对其在900°C、不同应变率(10-4～10-2s-1)下进行了拉伸试验。试验结果表明:(1)不同应变率下的应力-应变曲线具有类似的特征,并且IC10合金的流变应力对应变率敏感;(2)流变应力、临界应力和临界应变随着应变率的增加而增大。基于TEM和SEM试验IC10合金的力学特性机理。为了描述IC10合金的动态再结晶行为,本文提出了一个新的宏观唯象本构模型。该模型的预测与试验结果比较验证了其有效性。     

用薄板等积变换方法制造起伏构造的工艺问题研究(英文)

研究了用于夹层壁板的新型轻质芯材的制造问题。该种芯材是一种可改变平面方向的褶皱构造。采用薄板等积变换通过局部弯曲而不拉伸材料的方法制造该种芯材已成为可能。其主要难点在于 ,必须实现沿复杂的展开图上所有的画线同时弯曲。现借助于成形过程中使原来的构形组件变形解决其造型问题。本文提出的工艺方法可用于不同材料的深度起伏构造制造 ,如金属薄板和纸等。     

纳米ZnO的制备及红外发射率研究

以草酸、醋酸锌和无水乙醇为原料，采用溶胶-凝胶方法合成了干凝胶前驱体，并以其热重-差熟分析(TG—DTA)为依据，在一定温度煅烧研磨获得纳米ZnO粉体，经X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)分析表明实验终产物为纤锌矿结构的纳米ZnO，平均粒径约20nm。XRD分析结果还表明纳米ZnO中存在一定的晶格畸变现象。利用IR-1红外发射率测量仪测量了纳米ZnO粉体及其经不同温度热处理后样品在8～14μm波段的平均发射率，初步探索了纳米材料作为隐身材料的应用前景。发射率测试结果表明纳米ZnO的发射率比微米ZnO的发射率大，并且随着热处理温度的增加，发射率单调下降并逐渐趋近于微米ZnO。文中结合XRD分析结果，对上述现象给出了一定的解释。     

聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚苯乙烯共聚物的合成与表征

采用原子转移自由基聚合方法(A tom transfer rad ica l po lym erization,ATRP),以α-溴丙酸乙酯为引发剂,溴化亚铜和联二吡啶为催化体系,合成了端基为卤原子的单分散聚甲基丙烯酸甲酯(PMM A-X)预聚体。以此PMM A-X为大分子引发剂,在同样催化体系下,引发苯乙烯聚合,得到了分子量分布较窄的聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚苯乙烯(PMM A-b-PS t)嵌段共聚物,并用红外光谱(IR)、核磁共振谱(1H-NM R)、凝胶渗透色谱(GPC)和透射电子显微镜(TEM)对其结构和形态进行了初步表征。结果表明,嵌段共聚物中聚甲基丙烯酸甲酯的质量百分数为28%,数均分子量(M n)为4.76×104,多分散系数(PD I)为1.49。经TEM表征,发现该嵌段聚合物具有周期性层状相分离结构,层状取向周期达到了400 nm左右,在紫外-可见波长范围内。这一特征长周期为嵌段共聚物材料用作光波导等光学器件提供了结构基础。     

P(VDF-TrFE)和铜酞菁齐聚物的接枝与表征

为提高偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物[Po ly(V iny lidene fluoride-trifluoroethy lene),P(VDF-T rFE)]与铜酞菁齐聚物(Copper ph tha locyan ine o ligom er,o-CuP c)复合物的相容性,对聚合物进行化学修饰,赋予其活泼苄氯基团,进而与o-CuP c发生酯化反应,将其部分接枝到聚合物链上1。H-NM R和FT-IR表征证明了接枝的成功。透射电子显微镜(T ransm iss ion e lectron m icroscope,TEM)分析表明,与P(VDF-T rFE)和o-CuP c的共混物相比,所制备的接枝纳米复合物[P(VDF-T rFE)-g-CuP c/CuP c]中o-CuP c的分散性大大提高;o-CuP c颗粒的粒径在60~100 nm之间,约相当于共混物中的1/6。     

优化的GM(1,1)模型及其适用范围

在已有灰色理论的基础上,利用“最小二乘法”确定GM(1,1)白化权函数的时间响应函数中的常数c,摈弃了传统GM(1,1)把原始序列中x^(0)(1)作为初始条件的欠科学的做法,构建了时间响应函数的优化模型。经大量的数据模拟和预测,发现优化的GM(1,1)模型各项指标均优于传统的GM(1,1)模型,且拓宽了其适用范围。     

P型Si(100)化学镀NiP薄膜的制备及性能研究

采用化学镀的方法在组成为NiSO4.6H2O NaH2PO2.H2O Na3C6H5O7.H2O的化学镀液中与Pd活化的p型Si(100)表面制备了NiP薄膜,利用X射线能量色散谱(EDX)对NiP薄膜的成分进行了表征。用原子力显微镜(AFM)和电化学阳极溶出(ASV)的方法对不同化学镀时间下的NiP薄膜在Si表面的覆盖度进行了研究。结果表明,在表面覆盖度Γ达到4.03×10-8mol/cm2时,表面覆盖达到饱和,此时颗粒大小均一,并分布均匀。以NiP/Si为工作电极,在0.5 mol/L1的H2SO4溶液中分别在光照和暗态条件下对不同化学镀时间的NiP薄膜进行阴极极化扫描,结果表明,在Si表面未完全被覆盖和过度被覆盖的情况下光电催化的性能都没有达到最高,仅当Si表面被完全覆盖时,具有最强的光电催化析氢特性。