O-SiC_P/Fe界面化学稳定性

SiC颗粒在静态空气气氛中经 12 0 0℃× 10h钝化氧化处理后在表面形成厚约 0 .6 μm ,具有晶态的 β 方石英结构的致密氧化膜。经在氢气气氛 ,115 0℃× 1h高温处理 ,3SiCP/Fe界面反应形成以Fe3 Si,颗粒状石墨和Fe3 C为主的反应产物。Fe3 Si和颗粒状石墨构成反应区 ,Fe3 C在金属基体晶界形成片状珠光体。 10SiCP/Fe中的界面反应更加激烈 ,SiCP 被完全消耗 ,并被由Fe3 Si和石墨颗粒构成的反应区所替代 ,金属基体因含Si量高而脆化。SiCP 表面氧化膜通过隔离原本相互接触的SiC与Fe以阻碍Fe ,Si和C原子的相互扩散 ,有利于抑制O SiCP/Fe界面反应 ,提高其界面化学稳定性     

激光工艺制造SiCP-Al表面金属基复合物

研究了激光工艺预置SiCP表层厚度对表面改性层显微结构的影响,并研究了SiC颗粒与熔池的浸润行为,以及熔池内部SiC颗粒与铝合金基体之间的界面反应机理.与基体相比,涂层的硬度和耐磨性均有大幅度提高.     

SiCp增强体表面改性对铁基复合材料组织性能的影响

为了改善粉末冶金方法制得的SiCp/Fe复合材料性能,采用化学镀的方法,成功地在SiCp表面沉积镍,考察了颗粒表面改性对铁基复合材料组织性能的影响.结果表明,镀镍层的作用明显第一,阻碍了SiCp/Fe界面的过度反应以及Si原子向基体中的扩散;第二,镀镍层的存在改善了颗粒与基体的界面状况,使得颗粒能够更好地发挥增强体的作用.     

SiCp增强体表面改性对铁基复合材料组织性能的影响

为了改善粉末冶金方法制得的SiCp/Fe复合材料性能，采用化学镀的方法，成功地在SiCp表面沉积镍，考察了颗粒表面改性对铁基复合材料组织性能的影响。结果表明，镀镍层的作用明显：第一，阻碍了SiCp/Fe界面的过度反应以及Si原子向基体中的扩散；第二，镀镍层的存在改善了颗粒与基体的界面状况，使得颗粒能够更好地发挥增强体的作用。     

铝合金搅拌摩擦加工原位反应生成物颗粒增强机制

在1100-H14铝合金基体表面开凹槽添加Ni粉进行搅拌摩擦加工(Friction Stir Processing,FSP),利用Ni粉在搅拌过程中的碎化及其与基体的原位反应生成的高强、高硬的金属间化合物制备强化的表面复合层。结果表明,不同于添加陶瓷颗粒的FSP工艺,Ni颗粒能在搅拌过程中充分碎化,并与铝基体原位合成金属间化合物,原位自生的增强体颗粒与基体是以金属键合的方式结合在一起,因此与基体金属间具有良好的界面相容性和界面结构,能够很大程度上改善颗粒的强化效果。增强颗粒与基体结合界面的性质对复合层硬度的影响非常显著,为了提高复合层硬度,提出了通过原位反应获得颗粒/基体的高强界面的模型。     

添加难熔金属化合物C/C复合材料的微观结构

利用液相浸渍法制备了含有难熔金属化合物的C/C复合材料,通过金相显微镜、面扫描观察了难熔金属颗粒在材料中的分散状态;并表征了碳纤维、基体碳的微观结构和纤维/基体的界面状态.研究发现,难熔金属化合物在高温下对碳具有催化石墨化和诱导石墨化作用,石墨微晶尺寸大,发育好,取向性高.     

SiC陶瓷与GH128镍基高温合金反应连接研究

采用 Fe-Ni(重量比为 65∶ 3 5)金属粉末焊料,利用 Gleeble1 50 0热模拟机对镍基高温合金 ( GH1 2 8)和 Si C陶瓷进行反应连接,研究了连接温度、连接压力和高温保温时间对试样连接强度的影响,确定了最佳工艺参数,并制备了剪切强度超过 3 4.3 MPa的陶瓷 /金属连接件。界面结构分析表明陶瓷 /焊料界面反应层的形成主要受 Fe,Ni原子向陶瓷中的扩散引起     

C/SiC复合材料烧蚀机理和通用计算模型研究

研究了C/SiC复合材料氧化烧蚀机理,发现它们与传统的硅基和碳基材料烧蚀有很大差别。C/SiC的烧蚀取决于氧的分压、表面温度和材料晶态结构及成份,可能出现活性氧化和惰性氧化两种破坏机制。研究了氧化膜的形成和破坏条件,以及氧化膜中氧气的扩散机制,建立了适用于C、Si、SiC和C/SiC(C和SiC可有不同混和比)四种材料烧蚀计算的通用物理数学模型。     

喷射沉积SiCp/Al-8.5Fe-1.3V-.17Si热暴露过程的显微组织演变

采用喷射沉积工艺制备了SiCp/Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si复合材料,并通过热压后多道次热轧制备了板材.研究了板材在不同温度下热暴露过程中第二相粒子、SiC/Al界面和位错密度的变化,并通过X射线衍射分析了板材在热暴露过程中的物相变化.结果表明,复合材料经热加工后第二相粒子保持弥散细小,为50～ 80nm,SiC/Al界面干净,没有脆性相生成;在500℃暴露200h后,第二相粒子几乎没有变化;在550℃暴露200h后,第二相粒子略有长大,没有明显的脆性相生成;600℃下暴露10h后,SiC/Al界面处生成Al4C3相,第二相粒子长大至400 ～500nm,并生成Al13Fe4相;在550℃热暴露过程中,随着暴露时间变长,位错密度增加.SiC颗粒分解向基体中析出游离态Si,抑制了Al12( Fe,V)3Si的粗化和分解,提高了复合材料的耐热性能,因此该复合材料在550℃以下具有良好的热稳定性能.550℃以上耐热性能急剧下降,热暴露过程中位错增殖.     

超高温陶瓷改性C/SiC复合材料的制备及其性能

以碳纤维为增强体,聚碳硅烷和聚烷基铪为前驱体,采用前驱体浸渍裂解(PIP)工艺制备C/Si C-HfC复合材料,将其与同种工艺所得C/SiC复合材料进行对比评价分析。发现C/SiC-HfC复合材料具有较低密度和较好的高温力学性能,且在1 650℃静态氧化实验中,含有HfC的基体对纤维具有更佳保护效果。C/SiC-HfC密度约为1.92 g/cm~3,常温弯曲强度为345 MPa,1 800℃高温无氧环境弯曲强度可达424 MPa。C/SiC-HfC复合材料表现出更加优异高温力学性能是由于HfC组分的添加抑制了SiC晶粒的生长,降低了基体内部较大裂纹产生的概率。在1 650℃空气环境下,含有HfC的基体对纤维具有更佳保护作用,主要是由于HfC组分的添加使材料表面的SiC及时氧化成SiO_2,SiO_2在纤维和基体表面形成包覆层,防止了材料内部的进一步氧化。