沉积温度对碳芯SiC 纤维微观结构的影响

以沥青基碳单丝为基体,一甲基三氯硅烷为碳化硅前驱体,使用通电加热的冷壁CVD工艺,温度在1 473～1 773 K,制备了碳芯SiC纤维.采用扫描电子显微镜和拉曼光谱对纤维的表面形貌及结构进行了表征,研究了沉积温度对其结构的影响.结果表明,SiC涂层为β-SiC晶型.沉积温度的升高引起了沉积速率的增加以及SiC涂层晶粒尺寸的长大.同时,导致碳芯中心区域发生结构重排,引起了该区域取向度的提高以及晶粒尺寸的减小.     

沉积温度对TiB_2涂层的组成与形貌的影响

利用TiCl4-BCl3 -H2-Ar反应体系,用化学气相沉积法(CVD)在石墨基体上沉积了TiB2涂层,并对涂层的物相、沉积速率、微观结构、表面形貌进行了分析.结果表明:沉积的涂层物相由TiB2组成.随着沉积温度的提高,沉积速率加快,涂层的显微硬度先增加后降低,950℃时达到最大值.沉积温度的升高,TiB2涂层颗粒尺寸明显增大,在900℃～950℃范围内能沉积出结构致密、颗粒尺寸适合的TiB2涂层.分析了TiB2涂层的沉积机理.     

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。     

钛表面阴极微弧沉积氧化铝涂层的组织结构及其性能研究

以Al(NO3)3乙醇溶液为电解液,利用阴极微弧电沉积技术在纯钛表面制备了较厚的氧化铝涂层.分析了涂层的形貌、成分和相组成,测试了涂层的抗高温氧化、电化学腐蚀及抗热震性能,并探讨了阴极微弧沉积氧化铝涂层的机理.涂层由γ-Al2O3和少量的α-Al2O3组成.涂层中含有少量的钛元素,表明涂层/钛界面附近的钛基体在微弧放电作用下也参与氧化铝涂层的沉积和烧结过程.涂层经过100次(700 ℃水淬)热循环后仍与钛基体结合良好.700 ℃恒温氧化结果表明,具有氧化铝涂层的钛氧化速率降低了4倍.     

碳/碳复合材料表面纳米HAp/壳聚糖生物复合涂层的制备

以声化学法合成的纳米羟基磷灰石(HAp)为起始原料,以异丙醇作为分散介质,采用水热电泳沉积法在经壳聚糖(CS)溶液改性后的碳/碳复合材料(C/C)表面沉积纳米HAp/CS生物复合涂层.重点研究了水热条件下沉积电压对复合涂层的晶相组成、形貌和结构的影响规律.采用X-射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅立叶变换红外光谱分析仪(FTIR)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对所制备的涂层进行表征.结果表明:随着沉积电压的升高,涂层更加致密和均匀;同时水热环境有利于纳米HAp晶粒的生长,制备出的HAp/CS复合涂层不需要后续热处理.     

化学气相沉积工艺制备SiC涂层

利用化学气相沉积工艺制备了SiC涂层，对涂层进行了SEM及XRD分析，考察了温度，载气和稀释气体对涂层微观结构的影响；对不同基体进行了对照试验。在1100℃－1300℃沉积时，随着温度的升高，SiC涂层积速度加快，SiC颗粒变大，同时颗粒间的孔隙也变大，涂层的致密度降低，Ar流量相对小时，制备的涂层致密，光滑。以SiCp/SiC作基体时，涂层和基体结合得很牢固，SiC颗粒会向基体中渗透，从而增强了涂层和基体之间的结合力。     

水热电泳沉积法制备C-AlPO_4高温抗氧化涂层及其表征

采用水热电泳沉积法在C/C-SiC复合材料表面制备了均匀的方石英型磷酸铝(C-AlPO4)高温抗氧化涂层。借助XRD和SEM对涂层的晶相组成和显微结构进行了表征。分析了C-AlPO4粉体在悬浮介质中的荷电机理,考察了C-AlPO4粉体在有机悬浮液中的分散稳定性;通过正交实验得到了C-AlPO4涂层的优化制备工艺;研究了此工艺条件下制备涂层的晶相、显微结构及抗氧化性能。结果表明:C-AlPO4由于吸附有机介质分子离解出的H+而荷正电,其悬浮液的分散稳定性在异丙醇中最好;制备C-AlPO4涂层的优化工艺条件为沉积电压220V,沉积时间25min,沉积温度100℃;抗氧化性能测试表明优化工艺条件下所制备的C-AlPO4涂层具有较好的抗氧化性能和抗热震能力,在1500℃的空气气氛下氧化37h后,涂层试样的失重率仅为0.53%。     

石墨基体电泳沉积法制备SiC涂层

采用电泳沉积法在石墨基体上涂敷SiC.通过对SiC悬浮液外部参数的控制,得到沉积时间、电压、添加剂量、固含量对沉积状况的影响.通过正交试验得到优化条件并在优化条件下制备样品,经烧结处理即得石墨的SiC涂层.用SEM观察涂层的微观结构,XRD用于烧结前后的相鉴定.结果表明,石墨基体上电泳沉积法制备均匀的SiC涂层简便可行.涂层为颗粒的物理堆积且存在孔隙,在实验烧结条件下SiC没有发生相变.     

沉积温度及走丝速度对SiC纤维拉伸强度和B4C涂层厚度、表面形貌的影响

采用CVD工艺在W芯SiC纤维表面涂覆B4C涂层,通过扫描电镜和纤维拉伸测试研究沉积温度和走丝速度对W芯SiC纤维拉伸强度和B4C涂层厚度、表面形貌的影响规律。结果表明,在1100℃以下不能获得B4C涂层。在一定的涂层参数下,可以获得与W芯SiC纤维的拉伸强度最接近(达3339MPa)的带B4C涂层的SiC纤维。且在其他涂层参数不变的情况下,为优化工艺参数,应符合沉积温度>1210℃时,走丝速度>0.055m/s;或沉积温度<1210℃时,走丝速度<0.055m/s。沉积温度影响SiC纤维的拉伸强度和B4C涂层厚度、表面形貌,走丝速度影响SiC纤维的拉伸强度和B4C涂层厚度。     

钛合金表面电火花沉积NiCr–3涂层的试验研究

钛合金由于表面硬度低及耐磨性差而发展受限,利用电火花沉积技术对其表面进行改性处理可提升钛合金材料工作性能.以NiCr–3为电极在钛合金表面制备了强化涂层,分析了工艺参数对涂层表面粗糙度、表面形貌及厚度的影响规律,分析了不同工艺条件下涂层的微观组织结构变化规律.结果表明,随着比沉积时间的增加,涂层厚度先增加后减小,最佳比...     

轴流压缩机叶栅内粒子沉积及性能下降计算中沉积模型的影响

针对轴流压缩机叶栅内固体微粒沉积的问题,采用计算流体动力学（CFD）软件对压缩机叶栅内的气固两相流动进行了模拟。文中首先采用简单粘附模型对轴流压缩机叶栅内粒子的沉积进行了计算;在此基础上,通过引入临界速度和临界角度的概念,采用用户定义子程序发展了一种新的粒子沉积模型,简称为部分沉积模型。并将采用部分沉积模型和简单沉积模型计算得到的粒子沉积结果进行了对比,结果表明部分沉积模型得到的粒子沉积更合理。在此基础上,采用部分沉积模型预测了轴流压缩机叶栅总压损失系数随运行时间的变化和500小时后叶片壁面的压力系数分布情况。     

化学液相沉积制备PbSe薄膜生长过程及其性能研究

采用化学液相沉积方法在醋酸铅溶液体系中制备了厚度在微米量级的PbSe薄膜,通过扫描电镜、X射线衍射和红外光谱分析等测试手段研究了PbSe薄膜的生长过程以及沉积时间对薄膜相结构、表面形貌和红外透光性能的影响.研究结果表明:随着沉积时间的增加,薄膜致密度增大,Se/Pb原子比增加,都为表面富Se的PbSe薄膜;在不同沉积时...     

纳米薄膜脉冲激光沉积技术

简要介绍了脉丫激光薄膜沉积（PLD）技术的物理原理、独具的特点，介绍了在PLD基础上结合分子束外延（MBE）特点发展起来的激光分子束外延（L－MBE），以及采用L－MBE技术制备硅基纳米PtSi薄膜的结果。     

激光金属沉积技术研究现状与应用进展

增材制造是融合材料科学、机械自动化及信息技术的先进制造技术,在近30年的发展中,发挥着越来越重要的作用。激光金属沉积(Laser metal deposition,LMD)是基于定向能量沉积(Directed energy deposition,DED)的一种增材制造技术,在近年来受到广泛关注和研究。阐述了LMD技术的基本工作原理及系统组成,重点介绍LMD技术国内外研究进展及应用现状,列举了一些基于LMD的工艺技术开发及装备研发制造,指出了LMD技术在成形效率和成形精度、工艺稳定性及性能一致性等方面的不足。最后,总结了LMD技术未来的5个发展趋势:材料体系集约化、工艺参数系统化、成形过程高效化、设备集成智能化和应用领域广泛化。     

硬质合金上金刚石膜的沉积

综述了为提高金刚石薄膜与硬质合金基体间结合强度所进行的研究,如制备细晶基体、对基体进行前处理、优化金刚石成膜的工艺条件以及在基体和金刚石膜间施加过渡层等．分析归纳了各种因素的影响规律,并对该研究前景进行了展望．     

沉积温度对TC4钛合金表面辉光离子渗Mo层组织和耐磨性能的影响

利用辉光离子渗的方法,在TC4钛合金表面沉积Mo耐磨涂层。利用XRD、SEM、EDS、显微硬度仪和摩擦磨损试验机研究了沉积温度(850℃,950℃和1050℃)对Mo涂层的组织结构、耐磨性能及磨损机制的影响。结果表明:涂层由Mo外层和互扩散区组成,互扩散区主要为Mo-Ti固溶体相;随着沉积温度的升高,Mo涂层的生长速率增加,但平均晶粒尺寸增大,因而硬度、耐磨性能降低;纯滑动干摩擦载荷为98N时,950℃/5h沉积所形成Mo涂层的磨损速率约为TC4钛合金的1/45。     

等离子熔积直接制造中的铣削光整技术

将铣削表面光整与等离子熔积直接成形技术相结合,研究了如何选择复合铣削光整加工用的刀具,以及齿进给、切削速度对零件表面粗糙度的影响;探讨了进行熔积成形与铣削光整复合的可行性。     

化学气相沉积法制备铼管的研究

采用化学气相沉积方法研制成功我国第一只铼管(φ12.5mm×30mm),研究了铼管的组织结构和其他性能.金相及扫描电镜观察表明,化学气相沉积法制备的铼材基本无缺陷,密度接近理论值;维氏硬度测量值高于加工态工业铼片.化学气相沉积是一种制备铼管的可行且有效的方法.     

军用印制电路组件气相沉积促进工艺技术

对聚对二甲苯Parylene C真空气相沉积促进工艺进行了全面研究。通过附着力测试,确定了促进剂和促进工艺。并对Parylene C涂层的三防性、耐热性、耐介质性进行了考核。结果表明:在最佳促进参数条件下,附着力达到1级,各项性能指标均满足军用印制电路组件三防技术要求。