硅液相外延的线,点生长

研究了硅液相外延层的表面形貌与衬底的初始状态的关系。实验结果表明，在采用有线性划痕的衬底时，可以在硅（１１１）面实现与三维集成技术中横向生长不同的线外延生长；而用表面形貌较好但有微缺陷的衬底时，适当控制液相外延生长过程，则可以在硅（１１１）面可以实现单晶点外延生长。     

硅液相外延生长的晶向自动偏离现象

通过对液相外延的薄膜Ｘ衍射测试，结果显示不论衬底是否偏离［１１１］晶向，外延层在同一衍射位置都出现了双峰。经比较分析，确认了硅（１１１）面在液相外延生长时存在晶向自动偏转现象。     

M6800单板机在碲镉汞晶膜液相外延中应用

用M6800单板机控制液相外延炉,以保证控温的稳定性和重复性,介绍了这种控温系统的原理,论证了该系统对碲镉汞晶膜液相外延生长的作用。     

电子元器件性能与液相外延工艺

分析了液相外延（ＬＰＥ）在微电子工艺中的状况及其原理，概述了ＬＰＥ在器件制造中的应用，指出了ＬＰＥ的电子元器件的优良特性，给出了ＬＰＥ在光电子领域研究中的最新成果。     

砷化镓太阳电池技术的进展与前景

介绍了砷化镓(GaAs)太阳电池的特点，并比较了液相外延(LPE)和金属有机物化学气相沉积(MOCVD)两种外延生长技术。叙述了国外单结、双结与三结GaAs太阳电池的结构、性能、研制及生产情况，分析了GaAs太阳电池的发展方向。最后根据国内GaAs太阳电池的研制进展和空间试用情况，提出了发展我国GaAs太阳电池的设想和建议。     

河北普兴电子科技股份有限公司

<正>学习沟通执行河北普兴电子科技股份有限公司是中国电子科技集团公司第十三研究所控股的股份制公司,成立于2000年,是国家认定的高新技术和集成电路生产企业,致力于高性能硅基材料的外延研发和生产。公司已通过IS09001、TS16949质量管理体系认证,IS014001、OHSAS18001环境和职业健康安全管理体系认证。普兴公司的主要产品是各种规格型号的大直径硅基外延片,是以重掺砷     

特种陶瓷在宇航工业中的应用

随着科学技术的进步,现代陶瓷在传统工艺和组成方面都有新的发展。从天然矿物扩大到使用人工合成的化合物,从硅氧四面体发展到以铝氧、锆氧八面体和硅氧、硅炭四面体;在工艺上从含有大量液相烧结进入少含或不含液相烧结;在制造方法上从简单的手工操作到自动化等。相继出现了电子陶瓷、超硬陶瓷、高温陶瓷、生物陶瓷和电光陶瓷等等。脆性大、强度小、韧性差、高温下经不起机械冲击等弱点逐渐得到克服,这类崭新的陶瓷在美国称     

InGaAsP快速外延生长及其在太阳电池中的应用

四元InGaAsP混晶是一种理想的可用于窄禁带太阳电池制备的半导体材料.本文研究了InP衬底上InGaAsP材料在不同外延生长速度下的掺杂特性和晶体质量.通过电化学电容-电压测试法,实验发现高生长速率下InGaAsP材料的Zn掺杂的掺杂浓度与Ⅲ族源流量无关,而Si掺杂的掺杂浓度随Ⅲ族源流量增加而减少.通过瞬态荧光光谱测...     

硅谐振式微传感器开环特性测试与数据处理

为了精确讣算出硅谐振式微传感器的谐振频率、谐振峰值和品质因数，根据硅谐振式微传感器的理论模型以及开环特性测试实测数据，通过分析讨论、仿真与实验从多方面比较了低通滤波与改进的最小二乘法等数据处理算法，并得到了整体最优的算法。所设计的相应程序为辟谐振武微传感器开环特性测试系统专用数据处理程序，同时本文讨论的算法也适用于其他类似的数据处理。     

二维层状CrxTey超薄膜高效电磁屏蔽材料及其航天应用研究

电磁屏蔽是有效抑制电磁危害的手段之一，电磁屏蔽材料的性质与其抗电磁辐射能力密切相关。CrxTey合金材料的晶体结构呈现二维多层结构，具有优异的屏蔽电磁波的潜能，可以作为未来航天领域的优选材料。通过脉冲激光沉积手段，CrTe2和Cr4Te5两种组分薄膜被外延沉积在蓝宝石Al2O3衬底上。X射线衍射和原子力显微镜测量结果显示薄膜为外延单晶生长，同时薄膜表面的粗糙度起伏不超过2 nm。其中光电子能谱对Cr4Te5薄膜的扫描结果证明其化学计量比符合4∶5，且在空气中放置一个月后未发现明显氧化。变温的磁化强度测量显示CrTe2和Cr4Te5薄膜分别在198 K和257 K发生标准的顺磁--铁磁相变行为。温度范围从5 K到320 K，薄膜始终显示为金属性。电输运物理机理的模拟分析得出，电子--电子散射和电子--磁子散射分别对居里点以上和以下导电性起主导作用。这些优异的性能集一体，使得CrxTey材料在未来航天领域可以发挥电磁屏蔽的重要作用。     

半导体压力传感器电路

这里介绍的半导体压力传感器(FPM-05G)具有小型、轻量、精度高的特点。半导体压力传感器利用了硅的压阻效应。在硅晶片上扩散形成电阻层,作成硅膜片,从而提高了压力灵敏度。将扩散电阻层组合成惠斯通电桥,然后将压力转换成电信号再进行处理。     

镍铬-镍硅热电偶特性分析与应用研究

以镍铬-镍硅热电偶在火箭发动机试验中的应用为研究对象。对其特性和影响测量的主要因素进行了论述。对镍铬-镍硅热电偶在使用中的劣化问题进行了研究和探讨,结果表明重复使用后的镍铬-镍硅热电偶的劣化是不可避免的,其劣化程度随封装形式、使用温度、直径及使用时间的不同而异,并根据多次试验数据的积累,总结出了相应的处理方法。     

CCD衬底反弹防护的工程实现

文章阐述了电荷耦合器件（CCD）衬底反弹问题产生的机理以及防护措施。针对高速驱动信号的工作特点和衬底反弹对CCD信号造成的影响,介绍并分析了波形化理论。理论分析表明,利用波形化理论能够对衬底反弹进行抑制,通过电路仿真和实际电路测试,验证了理论分析的正确性,为焦面驱动电路设计提供了一种新方法。     

硅基微加工工艺滤波器的研究进展

硅基滤波器在毫米波频段具有高Q值、低损耗、小体积、低成本的明显优势，并且易于与集成电路集成，是解决毫米波滤波器芯片化的绝佳手段。文章首先给出了硅基微加工工艺滤波器的设计方法分类，然后着重介绍近年来国内外硅基微加工工艺滤波器的五种不同设计方法：集总式、薄膜腔体型、带线型、自屏蔽型以及基片集成波导型。通过介绍各方法的工作原理，重点分析了各方法的研究现状及优缺点，并进行了综合对比分析，从加工工艺难度和性能上来看，自屏蔽型以及基片集成波导型硅基微加工工艺滤波器具有更大的发展空间和应用前景。     

高硅含量铝硅梯度合金制备及其组织、性能研究

设计了一套半固态反挤压装置,利用其以A390铝合金为坯料,制备了一个近活塞形状的杯状样品。利用金相显微镜、布氏硬度计、拉伸试验机和摩擦磨损试验机等设备分析、测定了样品的组织和性能分布。结果显示,沿杯底至杯壁,组织中初生硅相体积分数及材料硬度呈梯度分布,其中杯底硅相体积分数达到25%,至杯壁顶部递减至8-10%,对应的硬度在杯底最大达到138.7HB,杯壁顶部为76HB。杯底高硅合金经T6热处理后抗拉强度为275MPa,满足活塞类零件的强度要求,同时具有良好的耐磨性,而杯壁初生硅相体积分数低,可以满足活塞高导热性要求。     

镍镉浸渍液中硅含量新工艺测试方法

提出并研究用氧化亚氮—乙炔火焰原子吸收光谱法分析测试镍镉浸渍液中的含硅量。并对镍镉浸渍液中硅含量的测试方法等条件进行综合考虑。新工艺测试方法具有很好的灵敏度，干扰少，重现性好，其含硅量在５～５０μｇ·ｍｌ－１范围内与吸光度呈线性关系。测定样品含硅量（３４．０μｇ·ｍｌ－１ｎ＝１０），相对标准偏差为小于２．２％。标准加入回收率均在９８％～１０３％范围内。适用于镍镉浸渍液中含硅量的控制分析和样品系统分析。在当前分析领域里，用氧化亚氮—乙炔火焰原子吸收法分析测试镍镉浸渍液中含硅量属一种先进的仪器分析测试方法。     

硅基材料烧蚀模型研究

对冲压发动机燃烧室所使用的硅基热防护材料，用以往的单纯因二氧化硅液态层被气动吹除减薄的模型进行烧蚀计算，计算结果和实际偏差很大。我们根据硅基热防护材料的实际特性，在原有的液态层模型的基础上，考虑了夹杂碳化层对熔融态硅基的补强作用，提出了既有液态层吹除也有化学反应烧蚀的新模型，即考虑了热解、熔融和碳化、气动吹除结合化学反应烧蚀的多因素过程。并根据硅基热防护材料的烧蚀特点，根据发动机模型的试验结果，初步总结出了液态层粘附力的经验公式。从物理概念上分析可以看出该模型基本符合实际情况；从多种工况计算结果可看出，新模型和经验公式是比较合理的。     

液体火箭发动机带有隔板和无隔板的两相冷态解数值模拟

本文对液体火箭发动机燃烧室内带有隔板和无隔板的两种情况进行了两相冷态解数值模拟，气相控制方程用欧拉坐标系下的Ｎａｖｉｅｒ－Ｓｔｏｋｅｓ方程组描述，液相控制方程在Ｌａ－ｇｒａｎｇｉａｎ坐标系下进行描述。气、液两相作用通过方程组的源项互相耦合，通过计算比较了有隔板和无隔板时发动机内部流场的参数值，表明了隔板体的数值处理方法对计算两相冷态解的有效性。     

日本开发成功高效光信号转换技术

据中国科技部网站2012年3月7日消息，日本独立行政法人产业技术综合研究所和NEC公司合作，成功研发出光纤与光电集成电路之间的高效光信号转换技术。该研究利用硅光电技术研制出的多路硅光波导转换器，可方便地安装在光电集成电路和光纤之间，     

高温超导X波段带通滤波器研制

本文选用 10× 15× 0 .4 4 m m3双抛 L a Al O3衬底上外延生长的优质双面钇系高温超导 (HTSC)薄膜的Yba2 Cu3O7(YBCO) ,设计并制作了结构紧凑的高温超导发夹线微波窄带滤波器。该滤波器工作温度在 90 K以下 ,77K时指标为 :中心频率 9.4 8GHz,3d B相对带宽 1.1% ,带内最小插损 0 .36 d B,带外抑制大于 4 5 d B。另外 ,本文还介绍了高温超导滤波器的精确设计方法 ,并对高温超导滤波器的功率容载、制作等问题进行了讨论 ,同时还研制了具有实用意义的全密封高温超导滤波器外壳 ,仅需液氮制冷即可进入工作状态 ,输入、输出采用 SMA密封接头。