500千赫多路导频晶体滤波器的应用和试制

500千赫多路导频晶体滤波器,系由63只带通晶体滤波器组成的系列。各晶体滤波器的频率衰减特性曲线在-3分贝处相交,形成63条频率通道。此系列是分立式带通晶体滤波器并联应用的一个实列。本文主要介绍多路导频晶体滤波器在某遥测设备中的应用,以及这种滤波器的设计方法,最后给出测试的结果。     

《晶体滤波器》一书即将出版

由冯致礼、王之兴编著的《晶体滤波器》一书,宇航出版社将于1986年6月出版,新华书店发行。本书比较全面而系统地介绍了石英晶体滤波器的原理、设计、制作和应用诸问题,内容丰富,深度适宜,在工程设计上具有一定的实用价值。全书共十章,包括:滤波器的基础知识,石英晶体谐振器,带通晶体滤波器,带阻     

100MH_z带通晶体滤波器的试制

本文介绍了100MHz带通晶体滤波器的试制工作情况,包括滤波晶体谐振器的设计、制造和晶体滤波器的设计和调试。对晶体薄片自由式抛光和阳极氧化调频方法,也作了简要说明。最后给出了测试数据和图表。     

宽带石英晶体滤波器

一、引言宽带石英晶体滤波器的相对带宽超过1％。为了实现这样宽的通带,就必须在晶体滤波器电路中加展宽线圈。展宽线圈电感是组成宽带石英晶体滤波器的重要部分。使用基频晶体的宽带滤波电路,大都在电路中加并联展宽线圈,而使用泛音晶体的宽带滤波电路,大都在电路中加串联展宽线圈。本文介绍我们研制的中心频率2.4MHz、3dB带宽70kHz宽带通石英晶体滤波器。在火箭,     

75MHz高衰减小矩形系数晶体滤波器的设计制作

介绍中心频率75MHz、6dB带宽9～10kHz,通带波动小于idB、阻带衰减大于65dB、矩形系数B40/B6<2、插入损耗小于6dB、输入输出阻抗均为50Ω、体积为42mm×20mm×18mm的晶体滤波器的设计制作。该晶体滤波器用综合法设计,采用三节六晶体窄带差接桥式带通晶体滤波器的电路结构,用比高频滤波器效果更好的电容分压的方法进行阻抗变换,不用常用的差接变量器进行阻抗变换。该晶体滤波器的技术指标优于用户提出的技术指标,接近北京无线电仪器二厂1986年引进的西德R/S公司生产的ESH3型电磁干扰测试接收机上所用同种晶体滤波器的技术指标。整机用后认为该滤波器性能良好,满足了整机的设计要求,样机于1989年12月通过设计定型鉴定。     

5.2兆赫宽带晶体滤波器的试制

一、概述随着通讯和频率控制技术的迅速发展,滤波器的应用范围越来越广。对滤波器,不仅在稳定性和选择性方面提出了越来越高的要求,而且在带外防卫度方面也提出了严格的要求。滤波器的种类很多,早先是传统的LC滤波器,后来又出现了多种新型滤波器,诸如晶体滤波器、陶瓷滤波器、有源滤波器和数字滤波器等。这里介绍一种5.2兆赫晶体宽带滤波器。主要讨论其带宽的控制和阻带寄生衰减的抑制,并简要介绍滤波器的设计和调试的全过程。分立式晶体宽带滤波器,是由石英谐振器,电容器及电感线圈等分立元件组成。其滤波特性,除了取决于石英谐振器的等效参数以外,还与展宽线圈的关系甚大。晶体滤波器的带宽,取决于石英谐振器的串并谐振和反谐振之间的间隔,即取决于滤波晶体的等效电路的静电容C_0与动态电容C_s之比r,即r=C_0/C_(so)如采用狭带     

全通型带阻晶体滤波器的设计和制造

叙述了500kHz全通型带阻晶体滤波器的设计原理,电路元件值的计算公式。通过实例描述了设计过程和调试方法。     

2MHz窄带晶体滤波器的研制

介绍中心频率2MHz,3dB带宽180～200Hz,通常波动小于0.5dB,阻带衰减大于70dB,矩形系数B_(60)/B_3<2,插入损耗小于3dB,输入、输出阻抗均为75Ω,体积为长81mm×宽31mm×高29mm的晶体滤波器的研制.该晶体滤波器的技术指标达到日本MWS-672型抖晃校准仪上用的同种晶体滤波器的技术指标.     

低频晶体滤波器的设计

主要介绍以19.2kHz为例的低频晶体滤波器设计制造的全过程及如何减小低频晶体滤波器的体积。选用衰减特性比较陡的对称两节差接桥式晶体滤波器电路,保证了19.2kHz低频晶体滤波器矩形系数小。     

VHF／UHF晶体滤波器的进展

简要评述了近几年来VHF/UHF晶体滤波器的进展,讨论了VHF/UHF谐振器的特点、VHF/UHF晶体滤波器的性能,以及SAW晶体滤波器和谐振器性能的比较。     

晶体滤波器设计中的几个问题

本文提出了关于应用滤波器综合法设计,如何从晶体滤波器的带宽要求,合理地确定晶体元件的调整频差,同时讨论晶体元件的频温特性对滤波器带宽的影响。以及对所用差接变量器进行设计考虑。     

21.4MHz系列单片晶体滤波器

详细讨论了21.4MHz系列单片晶体滤波器的基本原理、设计方法、实验结果诸问题。特别是对八极点单片晶体滤波器。论述了不同电极形状和滤波器电气性能之间的关系。     

中等带宽晶体滤波器的几种实现方法

一、概述带通晶体滤波器按照它们的不同设计方法,通常可实现的通带带宽分为三种:(1)窄带:这种类型是指相对带宽大约小于0.2％的滤波器。它不需要负载电感。(2)中等带宽:这种类型是指相对带宽在0.2％和1％     

计算机辅助的压电振子滤波器综合法设计与分析

本文除了讨论用计算机辅助综合法设计晶体和陶瓷滤波器的程序设计方法外,并提出了桥形滤波器的网络分析电路模型和网络特性的计算机分析程序,这个电路模型和程序适用于所有的桥形晶体和陶瓷滤波器。     

电子对抗用500kHz晶体滤波器的研制

介绍500kHz晶体滤波器在电子对抗设备中的应用和设计制作。该滤波器用于电子对抗OOK信号提载波电路中,用网络综合法设计,采用两节四晶体窄带差接桥式电路结构,达到的技术指标为:中心频率f_0=500kHz;3dB带宽B_3,一种为180～190Hz,一种为460～480Hz;带内波动Ar<0.5dB;阻带衰减As>50dB;矩形系数B_(40)/B_3=3.1～3.3;插入损耗A_0=3～4dB;输入阻抗R(in)=输出阻抗R_(out)=820Ω。     

30MHz窄带晶体滤波器的综合法设计及其温度特性、自然老化特性

本文介绍近几年来用综合法设计用于雷达、接收机、频率综合器及其它测试仪器的相对带宽为5×10~(-(?))～2×10~(-4)的30MHz 窄带晶体滤波器,给出了设计实例和测得的频率衰减特性、温度特性和三年自然老化特性的测试结果。对所测结果作了简要分析,得出窄带晶体滤波器中心频率在温度变化和自然老化中的变化规律,提出了在宽温度范围长期工作的窄带晶体滤波器的通带宽度要求,以及改善窄带晶体滤波器的温度特性和老化特性的措施。     

用激光加工在晶片上集成匹配阻抗的甚高频单片晶体滤波器

本文介绍在压电基片上集成薄膜匹配阻抗的甚高频单片晶体滤波器,以及设计和调整这种器件的独特方法。按照传统的方法,我们从单一谐振开始,其电极尺寸考虑到了未来滤波器的谐振器之间所需的间隙,然后用 YAG 激光将电极分开;谐振器之间间隙的调整,要同时考虑到滤波器的计算带宽和中心频率具有很好的精度。然后,用同一激光微调薄膜电阻,以达到正确的带内波动和需要的3db 带宽。按此方法,能得到对称性很好的通带。这种能够全自动化的加工方法,由于激光光点尺寸很小(约10微米)而很适用于甚高频单片晶体滤波器。而集成电阻降低了外壳和两个末端谐振器引线的寄生电容和电感的影响。最后,讨论了激光输出功率对一些典型参数的影响。     

晶体滤波器设计与调试的几个问题

讨论关于分立式晶体滤波器(最常用的差接桥式电路)设计与调试中的几个问题,诸如合理确定滤波晶体的频率误差(调整频差)、差接变量器的设计考虑、滤波晶体的Q值与滤波器插入损耗之间的关系、以及利用负载电容C_1调整滤波器的带宽。     

晶体滤波器的目前趋势

本文评述了晶体滤波器最近的和预定的研制情况。主要发展方面是:甚高频(VHF)和超高频(UHF)滤波器、数据传输滤波器、线性度、封装以及降低成本。     

传输法测试系统用于晶体滤波器特性的测量

介绍了在现有石英晶体谐振器传输法测试系统2100的基础上,扩展其功能用以测试晶体滤波器特性及晶体谐振器寄生响应等的原理和方法,并给出了部分产品的测试结果。