银纳米线的合成及其透明导电膜的性能研究

采用溶剂热法制备银纳米线(AgNWs),通过控制实验过程中的聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和硝酸银的比例及氯离子与银离子的摩尔比研究这些参数对AgNWs长度及直径的 影响。研究发现,当PVP与硝酸银的摩尔比为4.5∶1且氯离子与银离子的摩尔比为2∶85时,银纳米线具有较合适的长度及直径且在溶液中具有优越的分散性,适合于导电膜的制备。采用该参数银纳米线制备出的导电膜最高品质因子达到24,高于掺锡氧化铟(Indium tin oxide,ITO)薄膜的品质因子9,且具有较好的抗弯折性能。结果表明,银纳米线透明导电薄膜在有机太阳能电池(Organic photovoltain,OPV)和有机发光二极管(Orgnic light emitting diode,OLED)等柔性电子器件领域有很大的应用潜力。     

热退火对溅射法Al-Sn共掺ZnO薄膜光电性能的影响

利用射频磁控溅射方法,采用AZO靶和Sn靶共溅射的方法在钠钙玻璃衬底上制备了Al与Sn共掺杂的ZnO (ATZO) 薄膜样品,再对样品进行300,350,370,400,500 ℃ 5种不同温度和1,2,4 h 3种不同时间的退火处理。采用X射线衍射仪(X-ray diffraction, XRD)和扫描电子显微镜(Scanning electron microscope, SEM)对其相结构及形貌进行了表征和分析。结果表明,所制备的ATZO薄膜都是六角纤锌矿结构,在（002）方向上表现出择优生长且表面都较为均匀。采用UV vis分光光度计测试薄膜样品的透过率,结果显 示370 ℃退火2 h的样品在400~760 nm处有87.09%的最高平均透过率,对应的光学带隙为3.40 eV;同时,此样品具有最低的电阻率为4.22×10-2 Ω·cm和最高的载流子浓度和迁移率,分别为6.44×1020 cm-3和4.30 cm2/(V·s)。     

Cu_2O改性ZnO纳米阵列表面的润湿性与紫外响应行为研究

在ITO基底上采用电化学沉积法制备了Cu_2O改性的ZnO纳米阵列,通过场发射电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和接触角测量仪等对其微纳结构和表面润湿行为进行了研究。实验结果显示,低表面能Cu_2O粒子的吸附增强了ZnO纳米阵列的超疏水性。很多材料表面对水滴有较高黏附力是因为材料表面微槽中密封的空气而产生的毛细管附着力,而ZnO纳米棒阵列表面对水滴的高黏附性是因为其表面的范德华力作用。改性后样品表面形成的ZnO-Cu_2O微纳分层结构减小了样品表面与水的接触面积。另外,加上Cu_2O自身的低表面自由能,共同导致范德华力减小从而使得表面对水滴的黏附小而具有很好的超疏水性。     

硅基ZnO薄膜组织形貌的研究

本文采用自行设计PECVD的设备生长ZnO薄膜,以在等离子体作用下的CO2/H2作为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为400℃、450℃。使用原子力显微镜和带能谱的环境扫描电镜分析这两个ZnO薄膜样品的表面和断面组织形貌。实验结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。在衬底温度为450℃时生长薄膜样品,晶粒之间存在有规律的聚集,主要按六方环结构排布,比在衬底温度为400℃生长的薄膜的晶粒之间的聚集更有规律,这与XRD测试结果相吻合;薄膜的断面组织形貌图也进一步证实了在衬底温度为450℃时生长的ZnO薄膜,C轴高度择优取向。从薄膜的断面组织形貌图还可以看到,薄膜与单晶硅衬底之间界面几乎是一条直线,样品经过高温退火处理,薄膜未出现裂纹或卷起,说明薄膜与单晶硅之间存在一定的化学键合。     

含S,S-二氧-二苯并噻吩单元的红光磷光主体材料的合成与光电性能研究

以咔唑与S,S-二氧-二苯并噻吩为单体制备了交替共聚物pCzFSO;系统研究了聚合物pCzFSO的热、光物理和电化学等性能,并探讨了其作为红光磷光主体材料在电致发光器件中的应用。研究结果表明:聚合物pCzFSO的热分解温度为426℃,带隙为2.77 eV,HOMO/LUMO能级为-5.65 eV/-2.88 eV;以聚合物PCzFSO为发光层制作的电致发光器件ITO/PEDOT:PSS/PVK/pCzFSO/Ba/Al发天蓝光,最大流明效率为0.80 cd/A,最大亮度为635 cd/m~2;以聚合物pCzFSO为主体材料制作的磷光电致发光器件ITO/PEDOT:PSS/PVK/pCzFSO:Ir(Piq)_3/Ba/Al的最大流明效率为1.62 cd/A,最大亮度为1 990 cd/m~2。聚合物pCzFSO是一种有潜力的红光磷光主体材料。     

激光辐照工艺参数对提高30CrMnSiA钢的门槛值和剩余寿命的影响

对使用的结构材料采用激光辐照表面处理技术以提高其抗疲劳断裂的性能,一直是近年来研究的热点。本文的研究结果表明,在合理的激光辐照工艺参数下,对提高30CrMnSiA钢的疲劳裂纹扩展门槛值△K_(th)、延长其剩余寿命有明显的效果。可望该技术能作为延寿手段在工程构件中得到应用。     

硫源种类对微波合成CZTS颗粒与薄膜性能的影响

研究不同硫源对微波液相合成的Cu２ＺｎＳｎＳ４（CZTS）纳米颗粒尺寸及形貌的影响。结果表明：当采用硫脲作为硫源时,所制备的CZTS纳米颗粒为平均尺寸500 nm的球状结构纳米颗粒;采用L 半胱氨酸作为硫源所制备的CZTS纳米颗粒为50 nm的空心球状纳米颗粒;而当使用硫代乙酰胺作为硫源制备CZTS纳米颗粒,其平均尺寸仅为3 nm。采用 平均尺寸为500 nm或50 nm的纳米颗粒制备墨水,将墨水旋涂到衬底上时,其致密性很差,明显存在许多孔洞。当采用平均尺寸为3 nm的纳米颗粒制作墨水,并将其制成薄膜时,薄膜致密性与均匀性都比较好。将最佳的预制薄膜进行硫化处理,其结晶性明显提高,并得到转化效率为2.1%的CZTS太阳电池。     

多孔SiO2负载纳米ZnO抗菌材料的制备及其性能研究

针对纳米ZnO在制备以及使用的过程中极易发生团聚从而影响其抗菌性能这一缺点,设计实验使得纳米ZnO在溶胶凝胶过程中与多孔SiO₂进行复合。通过扫描电子显微镜(Scanning electron microscope, SEM)以及透射电子显微镜(Transmission electron microscopy, TEM)等可以发现,ZnO很好地复合在多孔SiO₂的骨架上并且分散得较为均匀。通过表面积测试(Brunner-emmet-teller measurement, BET)以及光致发光光谱(Photoluminescence spectrum,PL)的测试可以发现,复合材料的比表面积得到提高且光学性能加强。通过菌落计数法探究复合材料与单组分纳米ZnO的抗菌性能差异以及复合材料中纳米ZnO含量的变化导致的抗菌性能的变化。结论证明,当纳米ZnO与多孔SiO₂进行复合之后,材料的抗菌性能得到了极大的提高,抑菌率超过了99%。     

衬底温度对共溅射法制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长的影响

研究了衬底温度对采用Cu2ZnSnS4靶和Cu靶共溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长的影响。采用拉曼光谱、X射线能量色散谱仪、扫描电子显微镜和紫外 可见 近红外分光光度计对在不同衬底温度条件下制备的Cu2ZnSnS4薄膜 的元素比例、形貌以及光学带隙进行了表征与分析。结果表明制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长遵循不同规律。室温衬底条件下制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长遵循两步法,导致颗粒尺寸和元素分布不均;而在120~200 ℃衬底温度条件下制备的Cu-Zn-Sn-S预置层在溅射过程中已有Cu2ZnSnS4晶粒形成,这些晶粒在后续硫化生长过程中起到形核点的作用, 促进了Cu2ZnSnS4晶粒的长大与元素的均匀分布。随着衬底温度的升高,Cu-Zn-Sn-S预置层及由此制备出的Cu2ZnSnS4薄膜的结晶性变好,Cu2ZnSnS4薄膜的带隙先升高后减小至1.55 eV。     

采用多糖结合剂磨具的单晶蓝宝石加工（英文）

提出了一种用于单晶蓝宝石绿色加工的新型多糖结合剂磨具。设计了磨具的配方和制备工艺,研究了微波处理对多糖凝胶性能的影响。制作了磨具试样并对单晶蓝宝石进行了加工试验。研究发现,随着交联多糖比例的增加,多糖凝胶的结晶度降低。含有交联多糖的磨具试样具有较高的表面硬度。加工试验结果表明,采用这种新型磨具,蓝宝石晶片的表面质量得到了显著的改善。当磨具砂结比为2∶1时,材料去除率可达0.68μm/min,提高磨具砂结比可获得较好的自锐性能,但材料去除能力降低,磨具磨耗增大。初步验证了多糖材料作为磨具结合剂的有效性。     

基于UNIX System V流机制的串行口通信程序的设计与实现

流（ＳＴＲＥＡＭＳ）机制，是ＵＮＩＸ系统中用户进程到设备（伪设备）之间的一条全双工数据通路，它为字符处理、网络服务和数据通信等驱动程序的设计提供模块化手段。本文概要介绍了流机制的组成及原理，着重讨论了用流机制实现ＵＮＩＸ设备驱动程序的方法，在ＳＣＯＳｙｓｔｅｍＶＵＮＩＸ系统中设计并实现了基于流机制的带ｍｏｄｅｍ控制的串行口驱动程序，最后讨论了串行口通信的数据传输控制及串行口通信程序的应用。     

零电压开关PWM变压整流器

讨论了ＰＷＭ式变压整流器和谐振式变压整流器的优缺点，在此基础上，提出了一种零电压开关ＰＷＭ变压整流器。它是ＰＷＭ技术和零电压开关准谐振技术相结合的产物，其特点是功率开关器件的开关转换过程中采用零电压开关准谐振技术，即功率开关器件工作于零电压开关状态──软开关状态下，而能量传输的主要形式采用ＰＷＭ技术，故具有ＰＷＭ式变压整流器和谐振式变压整流器的优点。文中介绍了该变压整流器的电路结构及工作原理，着重分析了其关键部分──全桥零电压开关ＰＷＭＤＣ－ＤＣ变换器的工作过程和设计方法。该变压整流器具有体积小、重量轻、效率高、性能好、输出电压稳定度高的优点。     

基于WEB的产品营销管理系统

以企业CIMS系统实施过程中营销管理系统的设计与开发的背景，分析了目前我国大，中型企业的经营管理式和在营销活动中普遍存在的问题。提出了一种基于WEB的企业营销解决方案，以合同和协议为线索，把营销活动中的各个环节有机地串联起来，实现了产品和经销商的动态管理，本文还提出一种基于WEB的产品售后服务系统模型，论述了故障模式，产品档案和产品售后服务故障识别及处理，并介绍了层次分析和基于知识库的用户服务决策方法。     

铜镉污染对海州香薷种子萌发的影响

以海州香薷种子为试材,研究了铜镉污染对种子萌发的影响。结果表明,在实验所选的胁迫浓度范围内,单一铜污染时,海州香薷种子发芽率随着Cu2+浓度的升高,先升后降,在20mg/L Cu2+处理时出现了毒性兴奋效应现象。铜镉污染对海州香薷幼苗苗长和根长的抑制作用极显著。根据综合效应指标,铜镉复合污染对海州香薷种子萌发的影响表现形式为铜、镉的协同作用。     

微量天平校准装置及精度分析

装置适用于风洞应变式微量天平六分量精密静态校准。通过高精度复位工件台和电视测量实现了微量天平的五分量体轴校;应用力的精密传递与转换实现了微量载荷在水平方向的准确加载。对三分量天平的综合加载精度以及影响因素进行了分析,同时还给出了该设备对三分量微量天平校准的结果,并与其他设备校准结果进行了比较     

基于CIMS环境的MRPⅡ

MRPⅡ(Manufacturing Resource Planning)即制造资源计划,是计算机集成制造系统(CIMS)中管理信息系统的重要组成部分.文中以大批量生产类型的机械制造企业CIMS为背景,从企业生产环境、企业管理思想与方法、企业经营特点、CIMS运行环境等方面分析了CIMS环境对MRPⅡ的软件功能、软件结构的需求,提出了CIMS环境下的MRPⅡ软件的功能、接口及系统结构.最后,分析了摩托车生产企业CIMS环境中的MRPⅡ的实现方案,及采用MRPⅡ的“推”式逻辑进行生产计划,采用“JIT”(Just In Time)的“拉”式逻辑进行生产控制的混合结构的特点.     

Linux Apache Web服务器上的ASP实现方案

介绍利用自由软件iASP1．08和JAVA2SDK1．3配置Linux Apache Web Server实现ASP功能的实用方案。     

设备检维修策略及维修主体匹配问题研究

设备检维修系统设计是设备管理的核心,而设备维修策略和维修主体匹配又是设备检维修系统设计的核心。建立一个可以广泛应用于企业的模型,并已通过实践的验证,为企业建立维修策略,选择维修主体提供了分析和应用的框架。     

基于DCT顺序型模式JPEG图象的分析与实现

本文介绍了基于ＤＣＴ顺序模型ＪＰＥＧ（Ｊｏｉｎｔ Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ Ｅｘｐｅｒｔｓ Ｇｒｏｕｐ）图象编码和解码的过程,并对量化,ＤＣＴ变换、Ｈｕｆｆｍａｎ编码的算法进行了深入的研究。     

PCB的电磁兼容性设计

概括介绍电磁干扰对电子系统的危害和影响，PCB电磁兼容性设计的原因、原则，PCB抗干扰的一般措施。结合在PCB设计方面的实际经验，阐述电子系统电磁兼容性设计的方法和技巧，确保电子系统实现最优性能。