典型CMOS存储器电离辐照效应

对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究。分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在^60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过程中,CMOS存储器的集成度、辐照偏置、退火时间和温度与电离辐照效应的关系。结果发现：不加电（冷备份）状态的^60Coγ射线辐照过程中,存储器的逻辑状态翻转出现较正常工作状态推迟1个量级以上;随着集成度的提高,SRAM,EEPROM存储器的辐照敏感度降低;试验器件经不同剂量的^60Coγ射线辐照后在不同温度下退火,所有试验器件均出现了逻辑状态翻转。     

一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析

对MOS器件总剂量辐照机理的研究，多从γ射线在SiO2中产生电子 空穴对，以及γ射线作用在SiO2 Si界面上产生新生界面态方面出发，分析γ射线对MOS器件的阈值影响，但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析；重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明：低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电；高压PMOS器件版图设计不当时，长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。     

SiCp/Al复合材料的Fe11+离子辐照实验研究

为了解辐照对航天电子元器件封装基板复合材料SiC_p/Al的影响，利用3 MeV Fe11+束流进行了不同注量下的辐照实验。辐照完成后，利用X射线衍射（XRD）仪和纳米压痕仪对材料进行表征分析。XRD分析表明，Fe11+离子入射后材料辐照层应力发生了变化。结合对应的理论模型，对铝基体的位错密度进行计算，发现辐照后铝基体的位错密度增加，SiC颗粒产生非晶化。纳米压痕测试表明，随着离子注量增加，材料辐照硬化程度增加。综上，辐照硬化可能是由于铝合金基体的应力变化导致产生局部高密度位错区，而这些区域阻碍了后续位错的运动，进而导致位错聚集，最终使得材料硬度增加。     

S781白漆在空间辐照环境下物性变化分析

文章研究S781白漆分别在紫外、质子和紫外+质子+电子综合辐照环境下太阳吸收率(αs)的退化情况,并利用X射线光电子能谱（XPS）和扫描电子显微镜（SEM）对样品表面的成分和形貌进行了分析。结果表明:S781白漆的αs受紫外辐照影响较小,但是在质子和综合辐照条件下退化明显。紫外辐照会对S781的硅树脂粘合剂产生裂解作用,质子辐照下样品表面会有污染形成,电子辐照会对深层的硅树脂性质产生影响。     

空间激光通信系统光电器件辐射效应研究

针对空间激光通信系统所用高速半导体激光器、光电探测器、掺铒光纤放大器(EDFA)、石英光纤等关键器件,开展电子、质子和γ射线辐照试验。半导体激光器经~(60)Co-γ射线和电子加速器辐照后斜率效率发生轻微下降,下降程度与总剂量大小有关;而光功率在电子辐照后出现严重下降,表明电子辐照比γ射线产生更多的损伤,可以归因于电子造成的位移损伤。PIN光电探测器在质子辐照后,暗电流和电容都明显增大,主要是由于质子造成的位移损伤引入深能级缺陷增加势垒,导致光电探测器性能退化。EDFA系统的掺铒光纤经~(60)Co-γ射线辐照后,对系统的增益和噪声影响很大。石英光纤主要受总剂量效应影响,辐射损耗随光纤通入的光波波长增大而减小,而且光纤损耗的剂量率效应不明显,实际试验可以根据试验条件选择适当的剂量率。研究结果可为空间激光通信系统的元器件选型、辐射效应评估与抗辐射加固设计提供参考数据。     

预辐照与等离子体对炭纤维表面接枝改性研究

分别采用γ射线预辐照接枝丙烯酸和等离子体接枝丙烯酸的方法对炭纤维表面进行处理.分别利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对2种改性方法处理前后炭纤维表面物理化学状态进行表征;通过层间剪切强度对炭纤维表面改性效果进行评价;并对2种改性方法接枝过程进行了初步探讨.γ射线预辐照接枝和等离子体接枝均对纤维表面产生了刻蚀,并在纤维表面引入了含氧官能团,增加了炭纤维与树脂基体间的界面粘接性能;虽然γ射线预辐照接枝的处理效果略低于等离子体,但前者具有低成本、便于批量化处理和强化纤维本体强度的优点,是一种非常有前景的炭纤维表面改性方法.     

热缩套管绝缘性能辐照效应研究

文章研究热缩套管的体电阻率和击穿电场强度在空间带电粒子辐照环境中的退化情况。分别利用γ射线和低能电子模拟低地球轨道带电粒子辐照环境,研究热缩套管辐照前后性能变化情况。试验结果表明,热缩套管的击穿电场强度在辐照后变化不明显,而体电阻率有不同程度的变化,电子辐照后热缩套管的体电阻率退化比γ射线辐照后的更为严重。     

聚酰亚胺薄膜在γ射线辐照下的力学性能退化研究

聚酰亚胺(PI)薄膜在空间高能粒子辐射环境下会发生力学性能退化。文章利用钴源辐照试验装置和热重分析、XPS分析等对均苯型PI薄膜在γ射线辐照下的力学性能退化及其规律进行研究,发现在γ射线辐照下,PI薄膜有明显的总剂量效应和剂量率效应。     

碳酚醛-铝板中二维X射线热击波数值模拟

文章利用平面应变正交各向异性材料率相关性的弹塑性本构模型和各向同性材料理想弹塑性本构模型,采用有限元方法编写程序,对X射线辐照碳酚醛-铝板时诱导的热击波进行数值模拟,讨论了热击波的传播规律。结果表明,在1 keV的 X射线辐照下,X射线穿透极浅,材料表面发生气化现象,应力峰值较大;在3 keV的X射线辐照下,X射线穿透较深,热击波呈现双波结构,材料的层裂更明显。     

几种微波半导体器件的辐射试验及分析

为了对国产微波半导体器件的抗辐射能力进行验证,我们于1994年9月对4种器件进行了总剂量效应实验。1 实验方案及要求 由于设备空缺,或虽有设备但测量范围不够、精度不够等原因,本次实验采取如下方案: 1)采用稳态总剂量辐照; 2)辐射源为60Co r射线; 3)采用移位测试,静态,辐照未加偏压; 4)专门设计印刷线路板和夹具,辐照中所有器件都固定在夹具上,用转换开关依次更换器件;     

国产高模量碳纤维抗真空紫外辐照性能试验研究

通过地面模拟试验研究了真空紫外辐照对国产BHM3高模量碳纤维质量损失率的影响,并采用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和X射线光电子能谱（XPS）仪对辐照前后的样品进行微观分析。结果表明,随着真空紫外辐照剂量增加,碳纤维质损率呈现先增加后平缓现象,质量损失率较少;紫外辐照作用前后碳纤维表面形貌和元素组成基本未变,说明其具有良好的抗紫外辐照性能。     

高能X射线辐照材料的SPH数值模拟

高能脉冲X射线辐照材料时,能量沉积会使材料表层发生气化,并在材料内部形成高压热击波。目前一般采用差分方法对高压热击波过程进行数值模拟。文章尝试采用光滑粒子流体动力学（SPH）方法对X射线辐照材料进行数值模拟,由于材料表层的气化膨胀所致,膨胀后的粒子体积是原来的几十倍甚至上百倍,产生粒子大变形的粒子穿透现象;分析了产生粒子穿透现象的主要原因是气化边界处密度计算公式不合适所致,为此对密度计算公式进行了改进,并开展了基于改进密度计算公式的两种方法的数值模拟,两种方法的计算结果比较一致。     

γ-射线辐照APMOC纤维对AFRC弯曲强度的影响

为最大限度地发挥芳纶纤维增强复合材料(AFRC)的综合性能,确定了未处理AFRC的最佳树脂含量为36%~42%,再对在氮气介质中的APMOC纤维进行γ-射线辐照改性处理,采用单向纤维增强塑料弯曲性能试验方法及扫描电镜研究了辐照剂量对AFRC弯曲强度的影响。结果表明,在辐照剂量200~1000 kGy范围内,AFRC的弯曲强度均增加,且600 kGy的辐照剂量时复合材料弯曲强度提高幅度最大;经γ-射线辐照处理的芳纶纤维,其表面氧含量有所提高,使得纤维表面活性增大,且表面粗糙度有所增加,使树脂与纤维之间的粘合作用得到强化。     

空间辐照机理与防护技术研究

空间辐照防护是辐射防护领域内最具挑战性的学科之一。文章着重介绍空间辐射的主要来源如银河宇宙射线、地球磁场捕获的高能电子和质子形成的地球辐射带,太阳粒子事件;辐照研究的机理,防护技术的观点以及防护所要考虑的几个方面。     

近紫外辐照对塑料薄膜型防静电热控涂层 导电性能的退化效应

文章通过试验研究了近紫外辐照对塑料薄膜型防静电热控涂层ITO/Kapton/Al、ITO/F46/Ag的导电性能的影响,给出了它们的导电性能退化规律,利用扫描电子显微镜（SEM）和X射线光电子能谱仪（XPS）对近紫外辐照后的涂层表面形貌和成分进行了分析,探讨了近紫外辐照对塑料薄膜型防静电热控涂层导电性能退化的机理。     

环氧基纳米复合材料抗真空紫外辐照性能研究

文章模拟真空紫外辐照条件,研究波长5~200 nm的真空紫外线(VUV)对环氧树脂648以及环氧基纳米复合材料的辐照损伤效应.质量损失、扫描电子显微镜、质谱仪和X射线光电子谱仪分析结果表明:纳米TiO2起到明显抗真空紫外辐照的作用.辐照后,与环氧树脂相比,环氧基纳米复合材料的质量损失大幅度降低,弯曲强度变化较小,出气量和出气成分减少,表面没有新的C峰出现,表面O 1s峰的主要成分没有发生变化.     

原子氧对航天材料的影响与防护

采用质子加速器对Fe-Ni软磁合金进行8 MeV质子辐照,研究其磁性能及组织结构与缺陷变化情况。研究结果表明,随质子辐照吸收剂量的增加,Fe-Ni合金的矫顽力增大,磁导率下降,饱和磁感应强度未受影响。X射线衍射（XRD）结果表明辐照未引起相结构的变化,但使晶格发生了畸变。正电子湮没分析表明,辐照导致了空位等材料缺陷。     

近紫外辐照对OSR二次表面镜导电性能影响研究

文章研究了近紫外辐照试验前后OSR二次表面镜的电学性能变化规律,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对近紫外辐照后的涂层表面形貌和成分进行了分析,进而探讨了近紫外辐照对OSR二次表面镜导电性能变化机理。研究发现,OSR二次表面镜的表面电阻率随着紫外辐照度的增加而指数减小,氧空位吸附氧的解析、In-O键的断裂和氧空位的增加是近紫外辐照OSR二次表面镜表面电阻率降低、导电性能增强的主要原因。     

质子辐照对石英玻璃光学性能的影响

文章研究了不同注量与辐照能量的质子对JGS3石英玻璃辐照前后光学性能的影响,并对其规律进行了初步探讨。实验中采用UV-3101PC分光光度计对辐照前后石英玻璃的光学性质进行测量。研究结果表明:质子辐照使该玻璃产生着色现象,在200～800 nm波长范围内产生了明显的光吸收;辐照注量和辐照能量均对石英玻璃光吸收有影响,其中辐照注量的影响更加明显。     

γ射线辐射对空间光学玻璃透射率的影响

利用60Co γ-射线对钡冕玻璃（BaK3）、镧冕玻璃（LaK3）、火石玻璃（F10）、镧火石玻璃（LaF3）、轻火石玻璃（QF3）和重火石玻璃（ZF4）进行辐照,研究不同辐照剂量对光学透射率的影响及这些玻璃在空间光学系统中的适应性。光学透射率测试范围为400~1 100 nm。结果表明所有玻璃在辐照后可见光透射率都下降了,而在近红外波段下降不明显（除了QF3和LaF3）。尽管F10和QF3光学透射率在辐照前相似,但是辐照后F10衰减是所有玻璃中最小的,而QF3衰减最为严重。研究发现,当达到一定辐照剂量后,玻璃材料的透射率不再继续衰减,而是趋于稳定。这些结果为空间光学系统针对辐射进行冗余设计提供了依据。