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本文介绍一种芯片上带有信号调节功能的硅压力传感器。制作时,在标准的3μmCMDS工艺过程中加入了微机械加工工艺,利用带电化学阻蚀剂的各向异性腐蚀技术,在(100)取向硅片上进行腐蚀。控制膜片厚度,使厚度容差小于0.5μm。在同一膜片上,集成了完整的CMDS测量电路。带压阻元件的惠氏电桥的输出信号由一个仪器放大器放大。该放大器的放大率和温度有关,以便补偿灵敏度随温度的变化。另外,灵敏度本身的变化、偏置和偏置随温度的变化亦予以补偿。芯片还具备微调功能,以便在-40~+125℃范围内对所述各参数进行调节。 相似文献
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新型的CMOS集成硅膜压力传感器由一个含四个压阻元件的电桥电路,一个放大器和一个新设计的能抑制电源电压变化和温度漂移的激励电源电路组成。敏感元件用自准直双元硅门CMOS工艺技术制得。方形的硅膜片由异向腐蚀剂N_2H_4·H_2O经腐蚀加工而成。在0~70℃范围内,灵敏度和偏置电压的温度漂移量小于±0.5%。这些数据比常用的杂化技术制得的元件所达到的数值小。利用新设计的激励技术,当电源电压变化±10%时,灵敏的变化不超过±1.5%。 相似文献
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作者对最新设计的具有方形硅膜片的 CMOS 集成硅压力传感器的特性进行了理论的和实验的分析。结果表明:传感器的非线性是由硅膜片的大幅度偏折(deflecti-on)和压阻元件的非线性压阻特性所引起的。文章还指出了将非线性减至最小程度时传感器的最佳结构形式。对所制得的压力传感器的非线性作了测量,其值与数学分析值十分吻合。 相似文献
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灵敏度温度自补偿薄膜压力传感器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
溅射薄膜压力传感器具有长期稳定性好、耐高温等优点,但是由于受弹性体材料自身特性的影响,传感器的灵敏度温度误差大,大约在1.5×10-4~2×10-4/F.S℃,是导致传感器测量误差大的原因之一。在弹性体上设计加工灵敏度温度补偿电阻,使应变电阻和灵敏度温度误差补偿电阻可以在同一时间感受温度,比在后续电路上进行温度补偿,温度响应快。对灵敏度温度自补偿压力敏感元件进行设计与研制。实测结果表明,采用灵敏度温度自补偿工艺技术的敏感元件,灵敏度温度误差较小,可以控制在0.25×10-4/F.S℃以下,传感器的温度性能得到了提高。 相似文献
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日立制作所研制一种小型、高性能的IC化压力传感器。它是利用了硅的压阻效应(当加压力时,晶体电阻发生变化的现象)。由于附带了独特的温度补偿电路,使这类压力传感器所存在的温度误差减小了。 相似文献
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现已研制成功一种具有脉冲调制输出的单片集成热式气体流量传感器,其输出脉冲宽度比和流速有关。制造这种传感器时,除使用EDP各向异性刻蚀剂制作传感器外形之外,其余均采用标准的CMOS工艺。传感器的加热部分和非加热部分之间用聚酰亚胺隔热。传感器具有内部气体温度补偿装置。在2~30m/s流速范围内,传感器的灵敏度为0.03m/s。按传感器的设计。本传感器也适合于双线式结构形式 相似文献
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合金薄膜高温压力传感器研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
合金薄膜压力传感器克服了粘贴式应变压力传感器的缺点,性能更优良,适应恶劣环境压力测量要求。对合金薄膜压力传感器的工作原理进行了介绍,比较了几种压力传感器的优缺点,并以应用温度范围这一指标为中心论述了镍铬、铂钨及钯铬薄膜压力传感器的性能特点及研究现状。镍铬薄膜传感器适用于中、低温介质压力测量,而铂钨、钯铬薄膜传感器适用于... 相似文献
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有关压力传感器可靠性设计的若干问题 总被引:1,自引:0,他引:1
论述压力传感器的研制和应用中的经验教训。着重讨论从任务书要求,工程化设计,到生产过程有关压力信号特征、压力接口以及功能与结构相关性,功能与材料相关性等问题。 相似文献
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本文讨论分段斜率法、拟合直线法、从严估算法等三种误差估算方法,对温度影响作了修正。给出有关曲线和图样。建议按实际精度分类,否则,只按产品技术奈件的标称重复性估算误差,这是不利的。 相似文献
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压力传感器静态特性自动校准装置的研制 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍YZX-500压力传感器静态特性自动校准装置的工作原理、结构组成、控制方法等。该装置是用标准传感器标定压力值的大小,用压缩液体的办法制造高压,通过使用计算机对一个机械传动机构进行模糊控制解决了自动加压问题。是集自动加压、自动采集数据、自动处理数据于一体的新型压力传感器自动校准装置。 相似文献
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推压力传感器计量检定的计算机应用 总被引:1,自引:0,他引:1
分析推力、压力传感器计量检定工作中存在的问题,提出了用继电器卡实现一次检定工作中可以使用一台数字万用表多台(多路)传感器,计算机自动记录、处理、打印数据。文中介绍了系统的组成及工作原理、计算机软件功能和传感器实例。 相似文献
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针对高温压力传感器有引线封装在恶劣环境下的弊端,本文对无引线封装进行研究。首先,对无引线封装结构进行设计,并明确了适用无引线封装的高温压力敏感芯片结构;其次,研究了耐高温低应力气密封装工艺、低应力黏片工艺、无引线电气互联工艺,并实现工艺兼容。最后,将该无引线封装结构应用于高温压力敏感芯片,评估无引线封装效果。经测试,无引线封装结构漏率为10E-8 Pa·L/s,工作温度达300 ℃。本文的研究将拓展高温压力传感器应用领域,提高传感器恶劣环境的适应性及可靠性。 相似文献