| 磁阻式随机存储器（MRAM）重离子单粒子效应试验研究 |
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| 引用本文： | 戈勇, 高一, 梅博, 等. 磁阻式随机存储器（MRAM）重离子单粒子效应试验研究[J]. 航天器环境工程, 2018, 35(6): 561-567doi:10.12126/see.2018.06.009 |
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| 作者姓名： | 戈勇 高一 梅博 于庆奎 孙毅 张洪伟 |
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| 作者单位： | 1.南京理工大学 自动化学院，南京 210094;2.航天材料及工艺研究所，北京 100076;3.中国航天宇航元器件工程中心，北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上项目“化合物器件不同能量质子位移损伤因子与非电离能损相关研究”（编号：11475256）；国家自然科学基金重点项目“先进非易失存储器辐照效应与加固技术基础研究”（编号：61634008） |
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| 摘 要： | 磁阻式随机存储器（MRAM）作为非电荷存储的非易失存储器在抗辐射性能上有一定的优势，在空间有较好的应用前景。文章分析了MRAM的工作原理，选取典型的MR0A08BCYS35型MRAM存储器为研究对象，进行了重离子单粒子效应敏感性试验研究，在此基础上，利用专用软件Fore CAST计算预估了该种器件空间应用条件下的单粒子在轨翻转率，给出了在轨应用的具体建议。
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| 关 键 词： | MRAM 单粒子效应 单粒子翻转 单粒子锁定 翻转率 |
| 收稿时间： | 2017-12-08 |
| 修稿时间： | 2018-12-03 |
Experimental study of single event effect of heavy ions on magneto-resistive random access memory (MRAM) in space applications |
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| GE Y, GAO Y, MEI B, et al. Experimental study of single event effect of heavy ions on magneto-resistive random access memory (MRAM) in space applications[J]. Spacecraft Environment Engineering, 2018, 35(6): 561-567doi:10.12126/see.2018.06.009 |
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| Authors: | GE Yong GAO Yi MEI Bo YU Qingkui SUN Yi ZHANG Hongwei |
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| Affiliation: | 1. College of Automation, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China;2. Aerospace Research Institute of Materials＆Processing Technology, Beijing 100076, China;3. China Aerospace Components Engineering Center, Beijing 100029, China |
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| Abstract: | Without any charge storage, the Magneto-resistive Random Access Memory (MRAM), as a nonvolatile memory, enjoys a natural advantage of its capability against the space radiation. The working principle and the radiation-hardening mechanism of MARM are analyzed in this paper by taking the type MR0A08BCYS35 as an example, and the heavy ion SEE test is carried out on this kind of MRAM. Based on the test result, the SEU rate of this kind of MRAM under the GEO radiation condition is calculated by the self-developed software Fore CAST®. Suggestions are then made for the corresponding space applications. |
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| Keywords: | MARM single event effect single event upset single event latch-up upset rate |
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