| 考虑低能电子影响的二次电子修正模型 |
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| 作者姓名： | 彭凯 李晶 张颖军 苏晨 崔万照 |
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| 作者单位： | 1中国空间技术研究院西安分院空间微波技术重点实验室,西安7101002中国文昌航天发射场指挥控制中心,文昌571300 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（U1537211，11605135） |
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| 摘 要： | ![]()
随着微放电效应研究的不断深入，低能电子影响在微放电过程中越来越不可忽视。当前常用的微放电模型在处理低能电子问题上具有一定的局限性，为了精确模拟这一过程，在深入研究二次电子和背散射电子发射理论的基础上，分别针对材料表面条件不同引起的二次电子发射系数不确定性、低能电子的背散射系数以及电子入射角等问题进行了分析和讨论，并在此基础上建立了一个二次电子发射模型，最后通过数值计算讨论了模型的正确性和适用范围。这一模型同时考虑材料表面条件参数、低能电子的背散射系数以及入射角等因素影响，能够兼容较低能量电子的二次发射，提升微放电数值模拟的精确度和适用性，为微放电数值模拟的发展起到推进作用。
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| 关 键 词： | 微放电效应 低能电子 二次电子发射模型 背散射电子 入射角 |
| 收稿时间： | 2016-08-31 |
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