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| 采用硅雪崩器件的1000V、300PS脉冲产生电路 | |
| 引用本文： | D·M·Benzel,M·D·Pocha,张志渊.采用硅雪崩器件的1000V、300PS脉冲产生电路[J].宇航计测技术,1987(2). |
| 作者姓名： | D·M·Benzel M·D·Pocha 张志渊 |
| 摘 要： | 把一个马氏(Marx)成形的雪崩晶体管串联电路和一个脉冲上升时间锐化二极管串连,将会在50Ω负载上产生一个幅度大于1000V、上升时间小于300ps 的脉冲。这个电路的触发延迟时间大约是7～10ns,晃动小于100ps。这个电路已被用于产生高至5 KHz 重复频率的脉冲。引言快速上升时间(纳秒)高压(千伏级)电脉冲在仪器快速瞬态测量中有很多用途。典型 |
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