| 锑化物磁性半导体体材料研究 |
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| 引用本文： | 尹志岗,吴金良,张兴旺.锑化物磁性半导体体材料研究[J].空间科学学报,2016(4):424-427. |
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| 作者姓名： | 尹志岗 吴金良 张兴旺 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 |
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| 基金项目： | 中国载人空间站工程项目(TGJZ800-2-RW024);中国科学院战略性先导科技专项项目(XDA04020202-11,XDA04020411)共同资助 |
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| 摘 要： | 利用布里奇曼法进行GaMnSb磁性半导体生长,并对其结构、磁学及电学特性进行研究.在高Mn区域发现了室温铁磁性,而在低Mn区域只探测到抗磁信号.电学测量表明,两个区域的空穴浓度基本相当,说明观察到的磁学性能差异与载流子浓度无关.X射线能谱测试显示,高Mn区域的Mn组分分布不均匀,低Mn区域的Mn组分分布则相对更为均匀.此外,高Mn区域的饱和磁化强度仅为每Mn原子0.01.3μ_B,与理论值相差约两个数量级.X射线衍射谱的结果说明,高Mn区域有出现MnSb第二相的迹象.以上结果证实所观察到的室温铁磁性并不是GaMnSb的内禀特性.
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| 关 键 词： | 磁性半导体 锑化物半导体 布里奇曼法 Mn掺杂 |
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