|
|||||
|
|
| 硅纳米晶体浮栅存储器件特性研究 | |
| 引用本文： | 史峥宇,余吟丰,刘洋.硅纳米晶体浮栅存储器件特性研究[J].航空科学技术,2010(5). |
| 作者姓名： | 史峥宇 余吟丰 刘洋 |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院 |
| 基金项目： | 航空科学基金资助项目，自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 通过硅(Si+)离子注入使硅纳米晶体存在于SiO2层中充当离散浮栅,制造出纳米晶体浮栅存储器件,测试器件的阈值电压变化(△Vth)、耐擦写能力和数据保持能力,得到该纳米晶体浮栅存储器件的存储特性。测试结果表明,该纳米晶体浮栅存储器件具有大的△Vth和较快的写/擦速度、非常好的耐擦写能力和很好的数据保持能力,具有应用于航空航天设备中的潜力。 |
| 关 键 词： | 离子注入 硅纳米晶体 耐擦写能力 数据保持能力 |
Charge Storage Characteristic of Nonvolatile Floating-Gate Memory with Silicon Nanocrystal Layer in the Gate Oxide |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |