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采用单电子晶体管实现的积分器及其性能分析
引用本文:陈学军,潘殿文.采用单电子晶体管实现的积分器及其性能分析[J].海军航空工程学院学报,2004,19(5):588-590.
作者姓名:陈学军  潘殿文
作者单位:海军航空工程学院青岛分院基础部,青岛,266041
摘    要:阐明了单电子晶体管(single electron transistor,SET)I—V 特性的一种分区处理法,在此基础上设计了 SET 积分器,并给出了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明,该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述 SETI—V 特性所构成的积分器传输特性有着良好的一致性。文中所提出的方法同样适用于 SET 在其它模拟和逻辑电路中的应用。

关 键 词:单电子晶体管  SETI—V  特性  积分器  传输特性
修稿时间:2003年8月19日

The Integrator Realized with Single Electron Transistor And Analyzing for Its Performance
CHEN Xue-jun,PAN Dian-wen.The Integrator Realized with Single Electron Transistor And Analyzing for Its Performance[J].Journal of Naval Aeronautical Engineering Institute,2004,19(5):588-590.
Authors:CHEN Xue-jun  PAN Dian-wen
Abstract:
Keywords:
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