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| 化学气相沉积工艺制备SiC涂层 | |
| 引用本文： | 刘荣军%周新贵%张长瑞%曹英斌.化学气相沉积工艺制备SiC涂层[J].宇航材料工艺,2002,32(5):42-44. |
| 作者姓名： | 刘荣军%周新贵%张长瑞%曹英斌 |
| 作者单位： | 国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073 |
| 摘 要： | 利用化学气相沉积工艺制备了SiC涂层，对涂层进行了SEM及XRD分析，考察了温度，载气和稀释气体对涂层微观结构的影响；对不同基体进行了对照试验。在1100℃－1300℃沉积时，随着温度的升高，SiC涂层积速度加快，SiC颗粒变大，同时颗粒间的孔隙也变大，涂层的致密度降低，Ar流量相对小时，制备的涂层致密，光滑。以SiCp/SiC作基体时，涂层和基体结合得很牢固，SiC颗粒会向基体中渗透，从而增强了涂层和基体之间的结合力。 |
| 关 键 词： | 制备 化学气相沉积 碳化硅 涂层材料 |
SiC Coatings Prepared by Chemical Vapor Deposition |
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| Liu Rongjun,Zhou Xingui,Zhang Changrui,Cao Yingbin.SiC Coatings Prepared by Chemical Vapor Deposition[J].Aerospace Materials & Technology,2002,32(5):42-44. | |
| Authors: | Liu Rongjun Zhou Xingui Zhang Changrui Cao Yingbin |
| Abstract: | |
| Keywords: | Chemical vapor deposition SiC coating |
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