在 Si 上生长的 GaAs 外延薄膜的近红外光致发光(英文) |
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引用本文: | 梁家昌,高瑛,赵家龙.在 Si 上生长的 GaAs 外延薄膜的近红外光致发光(英文)[J].中国民航学院学报,1997(4). |
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作者姓名: | 梁家昌 高瑛 赵家龙 |
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作者单位: | 中国民航学院基础部,中国科学院激发态物理开放实验室 |
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基金项目: | 中国科学院激发态物理开放实验室基金 |
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摘 要: | 在Si上生长的异质GaAs外延薄膜(记作GaAs/Si)中,存在着深能级,它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于GaAs与Si之间存在着很大的晶格失配及热膨胀系数差异所引起的。研究了与GaAs/Si的深能级有关的变温与变激发强度的近红外光致发光谱。实验中所用的GaAs/Si样品是用MOCVD方法生长的,而且具有不同的[As]/[Ga]比。利用组态模型,通过测量发光峰在半极大处的全宽度随温度的变化,获得了Franck-Condon位移。考虑了GaAs/Si的带隙随温度与随失配形变的移动。利用所获得的Franck-Condon位移及带隙移动,修正了施主-受主对、导带-受主及施主-价带间跃迁的能量关系式,给出了新的表达式。按照建立的新的跃迁能量表达式及GaAs/Si外延薄膜发光谱的特征,鉴定出GaAs/Si中的三个发光峰属施主-受主对复合发光,另外两个发光峰则是由As填隙-Ga空位的复合发光中心所产生。
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关 键 词: | 在Si上生长的GaAs外延薄膜 近红外光致发光 施主-受主对跃迁的能量表达式 |
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