| 蓝宝石基片干式化学机械抛光的研究 |
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| 引用本文： | 雷阳,周兆忠,吕冰海,孔涛,袁巨龙.蓝宝石基片干式化学机械抛光的研究[J].航空精密制造技术,2013,49(1):7-10. |
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| 作者姓名： | 雷阳 周兆忠 吕冰海 孔涛 袁巨龙 |
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| 作者单位： | 1. 浙江工业大学特种装备制造与先进加工技术教育部/浙江省重点实验室,杭州,310014
2. 衢州学院机械工程学院,衢州,324000 |
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| 基金项目： | 浙江省自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 针对蓝宝石传统湿式游离磨粒抛光材料去除率低的问题,本文提出了基于蓝宝石与SiO2磨料固相反应的干式化学机械抛光。通过实验分析了蓝宝石干式抛光工艺参数对抛光结果的影响。在此基础上,采用较优加工参数对蓝宝石基片工件进行了抛光实验。结果表明,采用聚氨酯抛光垫、粒径为200nmSiO2磨料,转速50r/min和压力33.2kPa时,粗抛光后的蓝宝石基片Ra为6.0nm,去除速度为5.3mg/h,是相同条件下湿式抛光去除速度(2.4mg/h)的2倍以上。
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| 关 键 词： | 蓝宝石 去除率 干式CMP 固相反应 工艺参数 |
Study on Dry CMP of Sapphire Subtrate |
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| Institution: | LEI Yang,ZHOU Zhao-zhong,LV Bing-hai,et al.(1.Zhejiang university of technology,Key laboratory of special purpose equipment and advanced manufacturing technology ministry of education,Hangzhou 310014;2.Quzhou University College of Mechanical Engineering,Quzhou 324000) |
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