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BAS粘接碳化硅材料的性能
引用本文:杨小波,孙志强,张冰清,苗镇江,王华栋,吕毅.BAS粘接碳化硅材料的性能[J].航空材料学报,2019,39(3):75-80.
作者姓名:杨小波  孙志强  张冰清  苗镇江  王华栋  吕毅
作者单位:航天特种材料及工艺技术研究所,北京,100074;航天特种材料及工艺技术研究所,北京,100074;航天特种材料及工艺技术研究所,北京,100074;航天特种材料及工艺技术研究所,北京,100074;航天特种材料及工艺技术研究所,北京,100074;航天特种材料及工艺技术研究所,北京,100074
摘    要:采用原位生成钡长石为烧结助剂,研究BAS/SiC复相陶瓷的低温无压液相烧结工艺,制备高致密度的陶瓷材料。通过XRD、SEM及力学试验机等研究烧结温度、BAS含量对复相碳化硅陶瓷的致密化、组织结构及力学性能的影响。结果表明:在1800℃温度下原位生成了BAS相,运用无压液相烧结法制备出了密度达到3.2g/cm3的BAS/SiC复相陶瓷;陶瓷中BAS以六方结构析出、SiC颗粒均匀分布;烧结温度不宜超过1800℃,温度过高将促使碳化硅颗粒长大,损伤陶瓷材料抗弯强度和断裂韧度;当复相BAS/SiC陶瓷中BAS质量分数为30%时,弯曲强度达到413MPa,模量达到210GPa,断裂韧度达到5.03MPa.m1/2。

关 键 词:钡长石  碳化硅  无压烧结  力学性能

Preparation and properties of BAS/SiC complex phase ceramic materials
Institution:(Aerospace Institute of Advanced Materials & Processing Technology,Beijing 100074,China)
Abstract:YANG Xiaobo;SUN Zhiqiang;ZHANG Bingqing;MIAO Zhenjiang;WANG Huadong;LYU Yi(Aerospace Institute of Advanced Materials & Processing Technology,Beijing 100074,China)
Keywords:celsian  silicon carbide  pressureless sintering  mechanical properties
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