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石墨表面CVD SiC涂层微观结构研究
引用本文:黄浩,陈大明,仝建峰,李宝伟.石墨表面CVD SiC涂层微观结构研究[J].航空材料学报,2008,28(2):50-54.
作者姓名:黄浩  陈大明  仝建峰  李宝伟
作者单位:北京航空材料研究院,先进复合材料国防科技重点实验室,北京,100095
摘    要:研究CH3SiCl3-H2-Ar体系中在石墨表面化学气相沉积SiC涂层工艺,并对涂层形貌进行SEM分析。考察沉积温度、气体比例、气体流量以及稀释气体含量对化学气相沉积SiC涂层的显微结构的影响。结果表明,在温度1100℃,H2∶MTS=5∶3,气体流量8L/min,稀释气体1L/min时,制备的涂层致密光滑。其中涂层的形貌对温度最敏感,当沉积温度达到1100℃时,CVD SiC涂层表面致密且光滑。

关 键 词:化学气相沉积  SiC涂层
文章编号:1005-5053(2008)02-0050-05
修稿时间:2007年7月2日

Microstructure Study of the SiC Coatings on Graphite by CVD
HUANG Hao,CHEN Da-ming,TONG Jian-feng,LI Bao-wzei.Microstructure Study of the SiC Coatings on Graphite by CVD[J].Journal of Aeronautical Materials,2008,28(2):50-54.
Authors:HUANG Hao  CHEN Da-ming  TONG Jian-feng  LI Bao-wzei
Abstract:
Keywords:CVD  SiC coating
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