高精度AZ厚胶光刻及在微型射频同轴器制作中的应用

基于正负胶结合的UV-LIGA技术在金属基底上制作了一种新型无源微型射频同轴传输器。针对制作过程中由于胶膜内部曝光剂量分布不均匀导致的正性厚胶AZ50XT光刻图形精度低的问题,在紫外光刻工艺的基础上,采用分次曝光显影的方法,制作了高尺寸精度的电铸胶膜。对不同尺寸的掩膜板图形进行分次曝光显影试验,研究了分次曝光显影法对光刻图形尺寸精度的影响。试验结果表明:分次曝光显影法可以显著提高AZ50XT胶膜图形化精度,并且光刻图形的精度与掩膜板图形尺寸无关。最后,基于上述试验成果,制作了整体尺寸为3000μm×400μm×200μm,单层最大厚度为60μm,侧壁倾角均大于85°的微型射频同轴传输器。