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硅半球深腔结构无损检测技术
引用本文:庄须叶,丁景兵,曹卫达,吴梦茹.硅半球深腔结构无损检测技术[J].导航与控制,2019,18(2):89-95.
作者姓名:庄须叶  丁景兵  曹卫达  吴梦茹
作者单位:华东光电集成器件研究所,蚌埠,233030;华东光电集成器件研究所,蚌埠,233030;华东光电集成器件研究所,蚌埠,233030;华东光电集成器件研究所,蚌埠,233030
基金项目:国家自然科学基金(编号:51875585)
摘    要:半球深腔的加工质量是决定硅基MEMS半球陀螺精度的关键因素之一,及时检测半球深腔的形貌参数并将其反馈至加工过程,是确保高性能MEMS半球陀螺研制成功的重要措施。由于硅半球深腔的深度较大,台阶仪和光学显微成像系统无法对半球深腔的形貌特征进行有效测量。因此,需要将硅深腔结构剖开后采用扫描电镜(SEM)进行检测。这种检测方式时间周期长,且属于破坏性的样本检测,效率和测试精度都较低。提出以硅半球深腔为模具,利用PDMS铸模将硅半球深腔的结构尺寸和表面形貌转移到PDMS凸起的半球模型上,通过检测PDMS半球模型的尺寸结构和表面形貌,即可反推出硅半球深腔的尺寸特征。经实验验证,脱模后的PDMS模型可以准确地反映出半球深腔的尺寸信息,测量结果的不确定度小于5‰,有效解决了硅半球深腔无损检测的难题。

关 键 词:硅半球深腔  半球陀螺  无损检测  聚二甲基硅氧烷  铸模

Nondestructive Detection Technology of Silicon Hemispherical Deep Cavity Structure
ZHUANG Xu-ye,DING Jing-bing,CAO Wei-da and WU Meng-ru.Nondestructive Detection Technology of Silicon Hemispherical Deep Cavity Structure[J].Navigation and Control,2019,18(2):89-95.
Authors:ZHUANG Xu-ye  DING Jing-bing  CAO Wei-da and WU Meng-ru
Institution:East China Institute of Photo-Electronic IC, Bengbu 233030,East China Institute of Photo-Electronic IC, Bengbu 233030,East China Institute of Photo-Electronic IC, Bengbu 233030 and East China Institute of Photo-Electronic IC, Bengbu 233030
Abstract:
Keywords:Silicon hemispherical deep cavity  hemispherical gyroscope  nondestructive detection  polydimethylsiloxane(PDMS)  molding
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