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| SiC／A12O3纳米复合材料压痕周围残余应力的压谱特性研究 | |
| 引用本文： | 陶杰,崔益华,杨斌鹏.SiC／A12O3纳米复合材料压痕周围残余应力的压谱特性研究[J].南京航空航天大学学报(英文版),2003,20(1):85-90. |
| 作者姓名： | 陶杰 崔益华 杨斌鹏 |
| 作者单位： | 南京航空航天大学材料科学与技术学院，中国南京，210016 |
| 摘 要： | 提出了用拉曼显微镜测试SiC／A12O3纳米复合材料表层V氏压痕周围残余应力的新方法。试验结果表明，其荧光光谱R曲线峰频率随高压痕中心的距离大小而变化，压头施加在材料上的载荷的大小，严重影响R曲线频率的变化。中假定应力张量横向各向异性，并以加压之前材料的荧光光谱作为基值，确定压痕周围的残余应力。最后，采用等静应力解释并比较了压痕周围残余应力与压痕载荷、高压痕中心距离之间的关系． |
| 关 键 词： | SiC／A12O3纳米复合材料 压痕载荷 碳化硅 氧化铝 荧光光谱 残余应力 压谱方法 |
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