| 碳化硅基直流固态断路器短路保护方法 |
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| 引用本文： | 秦海鸿,莫玉斌,张英,杨跃茹,赵朝会.碳化硅基直流固态断路器短路保护方法[J].南京航空航天大学学报,2020,52(2):207-214. |
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| 作者姓名： | 秦海鸿 莫玉斌 张英 杨跃茹 赵朝会 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学自动化学院,南京,211106;上海电机学院电气学院,上海,201306 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 51677089;中央高校基本科研业务费专项资金 NS2015039 NS20160047;南京航空航天大学研究生创新基地（实验室）开放基金 kfjj20170308国家自然科学基金（51677089）资助项目；中央高校基本科研业务费专项资金（NS2015039，NS20160047）资助项目；南京航空航天大学研究生创新基地（实验室）开放基金（kfjj20170308）资助项目。 |
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| 摘 要： | 碳化硅器件比硅器件具有更低的导通电阻,用其制作直流固态断路器可以大大降低其通态损耗,减轻散热压力。然而相比于硅器件,由于碳化硅器件管芯面积小,电流密度大,其短路能力相对较弱,短路保护要求更高。为确保碳化硅器件安全可靠工作,提高碳化硅基直流固态断路器的可靠性,对比分析了硅基与碳化硅基MOSFET的短路能力,揭示了其器件恶化机理,研究了栅源极电压箝位方法,并结合去饱和检测,提出了一种基于源极寄生电感的"软关断"短路保护方法,制作了直流固态断路器样机进行实验验证。实验结果表明,所提方法可以降低功率器件的关断电压应力、抑制短路电流,适合碳化硅基直流固态断路器短路保护。
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| 关 键 词： | 碳化硅 直流固态断路器 短路能力 短路保护 |
| 收稿时间： | 2018/7/27 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2019/9/16 0:00:00 |
Short Circuit Protection Method of SiC Based DC Solid State Circuit Breaker |
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| QIN Haihong,MO Yubin,ZHANG Ying,YANG Yueru,ZHAO Chaohui.Short Circuit Protection Method of SiC Based DC Solid State Circuit Breaker[J].Journal of Nanjing University of Aeronautics & Astronautics,2020,52(2):207-214. |
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| Authors: | QIN Haihong MO Yubin ZHANG Ying YANG Yueru ZHAO Chaohui |
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| Institution: | 1.College of Automation Engineering, Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, Nanjing, 211106, China;2.College of Electrical Engineering, Shanghai Dianji University, Shanghai, 201306, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide DC solid state circuit breaker short circuit capability short circuit protection |
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