| 氧在熔融SiO2中扩散的分子动力学模拟 |
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| 引用本文： | 时晓婷,高希光,钟毅.氧在熔融SiO2中扩散的分子动力学模拟[J].南京航空航天大学学报,2021,53(5):821-826. |
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| 作者姓名： | 时晓婷 高希光 钟毅 |
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| 作者单位： | 1.南京航空航天大学能源与动力学院，航空发动机热环境与热结构工业和信息化部重点实验室，南京 210016;2.南京航空航天大学能源与动力学院，江苏省航空动力系统重点实验室，南京 210016;3.中国海诚工程科技股份有限公司，上海 200031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（11972183）资助项目。 |
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| 摘 要： | 在高温干燥的氧气环境中，SiC材料将氧化生成SiO2氧化膜，影响材料性能。SiO2在SiC上的生长由氧气通过氧化物的扩散控制。由于温度条件限制，传统实验方法很难测定氧气在高温氧化物中的扩散。本文采用分子动力学研究不同温度下氧在熔融SiO2中的扩散行为。基于Morse、L-J等势函数及其参数，模拟了高温下的无定形SiO2结构，计算获得了氧在950、1 100、1 200、1 300及1 400 ℃温度下的均方位移曲线及扩散系数，分析了温度对气体扩散的影响作用，拟合了温度相关的Arrhenius公式。研究结果可为SiC基及其复合材料的氧化行为研究提供参考。
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| 关 键 词： | 分子动力学 二氧化硅 氧气 扩散系数 |
| 收稿时间： | 2020/10/30 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2021/2/25 0:00:00 |
Molecular Dynamics Simulation of Oxygen Diffusion in Molten SiO2 |
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| SHI Xiaoting,GAO Xiguang,ZHONG Yi.Molecular Dynamics Simulation of Oxygen Diffusion in Molten SiO2[J].Journal of Nanjing University of Aeronautics & Astronautics,2021,53(5):821-826. |
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| Authors: | SHI Xiaoting GAO Xiguang ZHONG Yi |
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