| 沉积温度对碳化硅基体及其复合材料的影响 |
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| 引用本文： | 闫联生,邹武,宋麦丽,王涛,王抗利.沉积温度对碳化硅基体及其复合材料的影响[J].固体火箭技术,1999,22(1):68-71. |
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| 作者姓名： | 闫联生 邹武 宋麦丽 王涛 王抗利 |
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| 作者单位： | 中国航天工业总公司四院四十三所,西安,710025 |
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| 摘 要： | 研究了沉积温度对化学气相渗透ＳｉＣ基体微观结构２及其纤维增强复合材料性能的影响。９５０℃沉积碳化硅为非晶态；１０００℃以上沉积出的碳化硅为结晶态，１０５０℃沉积碳化硅晶体取向为主：１２５０℃沉积碳化硅晶体取向为主。沉积温度升高，沉积深度和均匀性降低。
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| 关 键 词： | 碳化硅 化学汽相淀积 陶瓷基复合材料 |
Effects of Depositing Temperature on Properties of SiC Matrix and C/SiC Composite |
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| YAN Lian-sheng,ZOU Wu,SONG Mai-li,WANG Tao,WANG Kang-li.Effects of Depositing Temperature on Properties of SiC Matrix and C/SiC Composite[J].Journal of Solid Rocket Technology,1999,22(1):68-71. |
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| Authors: | YAN Lian-sheng ZOU Wu SONG Mai-li WANG Tao WANG Kang-li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide chemical vapor deposition ceramic matix composites |
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