集成电路铜互连线的静态腐蚀速率研究

利用静态腐蚀法分别研究了络合剂甘氨酸、氧化剂双氧水、阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)、腐蚀抑制剂吡唑在碱性条件下对铜静态腐蚀速率的影响及作用机理。实验结果表明,在一定浓度范围内甘氨酸和双氧水的协同作用会加快Cu的静态腐蚀速率,而高氧化剂浓度会使得Cu表面形成氧化层钝化膜,抑制Cu腐蚀。活性剂ADS对Cu腐蚀有抑制作用,但抑制效果不如吡唑。通过调节吡唑浓度,可控制Cu静态腐蚀速率的大小,利于抛光液在实际使用中对去除速率进行优化与调配。

On State Etch Rate of Copper for Integrated Circuits