高精度、快速瞬态响应LDO电路设计

文章设计实现了一款高精度、快速瞬态响应LDO电路。该设计采用高阶曲率补偿技术，以提高带隙基准电压的温度特性；采用多级熔丝修调技术，以提高基准电压和基准电流精度；采用调整管栅极寄生电荷泄放技术和负载电流泄放技术，以优化LDO快速瞬态响应特性。这里采用0.6μm Trench SOI CMOS 工艺设计、制造。测试结果表明，输出误差小于1%，瞬态响应特性与国外产品相当。