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电子二次倍增饱和现象和抑制措施
作者姓名:
李砚平
马伊民
作者单位:
西安空间无线电技术研究所
摘 要:
文章针对金属和介质两种电子二次倍增典型现象,运用功率损耗的解析表达式,分析两种饱和现象的不同饱和机制,由此说明在这两种情况下影响二次电子倍增的因素不同,抑制措施也不同。
关 键 词:
金属
介质
二次倍增
功率损耗
饱和机制
抑制
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