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消除CMOS管内部噪声的方法
引用本文:潘敏,窦建华,华六七. 消除CMOS管内部噪声的方法[J]. 宇航计测技术, 2008, 28(4): 53-56
作者姓名:潘敏  窦建华  华六七
作者单位:1. 合肥工业大学,计算机与信息学院,合肥,230009
2. 中国人民解放军94782部队,杭州,310021
摘    要:介绍了一种通过改进电路结构来消除CMOS管内部的噪声,最终达到降低总输出噪声的技术。首先从理论上证明了这种技术的原理,然后把这种技术应用到具体的低噪声放大器电路中,通过PSPICE软件模拟仿真,比较和分析了采用这种技术前后LNA电路的总输出噪声、输出信噪比和电压增益。

关 键 词:CMOS技术  低噪声放大器  噪声降低  电路

A Method of Canceling CMOS Inside Noise
PAN Min,DOU Jian-hua,HUA Liu-qi. A Method of Canceling CMOS Inside Noise[J]. Journal of Astronautic Metrology and Measurement, 2008, 28(4): 53-56
Authors:PAN Min  DOU Jian-hua  HUA Liu-qi
Affiliation:PAN Min DOU Jian-hua HUA Liu-qi ( 1. School of Computer and Information, Hefei University of Technology, Hefei 230009 ; 2. 94782 Unit of PLA,Hangzhou 310021 )
Abstract:A kind of technique canceling CMOS inside noise is introduced. Theoretically it is proofed that this kind of technique is reasonable, and it is put into a LNA circuit. From the simulation of this circuit by PSPICE, the total output noise voltage, output Signal Noise Ratio (SNR) and voltage gain are compared and analyzed.
Keywords:CMOS technology Low noise amplifier Noise reduction Circuit
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