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AFM诱导氧化加工Si纳米氧化线的一致性和连续性的研究
引用本文:宋晓辉,匡登峰,李艳宁,刘庆纲,胡小唐.AFM诱导氧化加工Si纳米氧化线的一致性和连续性的研究[J].航空精密制造技术,2005,41(2):49-50.
作者姓名:宋晓辉  匡登峰  李艳宁  刘庆纲  胡小唐
作者单位:天津大学计量技术及仪器国家重点实验室,天津,300072
基金项目:教育部天津大学南开大学科技合作项目
摘    要:研究了在不同的偏置电压和扫描速度下加工的Si氧化线的一致性和均匀性,得到了加工高质量的Si氧化线的实验条件为:偏置电压8V,扫描速度1 μm/s。

关 键 词:AFM针尖诱导阳极氧化  Si氧化线  一致性  连续性  偏置电压  扫描速度
文章编号:1003-5451(2005)02-0049-02
修稿时间:2004年3月15日

Studies on Uniformity and Conformity of Silicon Oxidation Lines Obtained by AFM Induced Oxidation
SONG Xiao-hui,KUANG Deng-feng,LI Yan-ning,et al.Studies on Uniformity and Conformity of Silicon Oxidation Lines Obtained by AFM Induced Oxidation[J].Aviation Precision Manufacturing Technology,2005,41(2):49-50.
Authors:SONG Xiao-hui  KUANG Deng-feng  LI Yan-ning  
Abstract:
Keywords:AFM tip induced anodic oxidation  Si oxidation lines  uniformity  conformity  biased voltage  scanning speed
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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