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沉积位置对LPCVD SiC涂层微观结构的影响
引用本文:张渭阳,郭领军,王少龙,景伟,付前刚.沉积位置对LPCVD SiC涂层微观结构的影响[J].固体火箭技术,2014(5).
作者姓名:张渭阳  郭领军  王少龙  景伟  付前刚
作者单位:西北工业大学 凝固技术国家重点实验室,C/C复合材料工程技术研究中心,西安 710072
基金项目:国家自然科学基金创新群体项目,教育部博士点基金,国家自然科学基金面上项目(51222207)。
摘    要:采用低压化学气相沉积法( LPCVD)在炭纤维表面制备了SiC涂层,借助扫描电镜、X射线衍射仪和拉曼光谱仪对不同沉积位置SiC涂层的微观形貌和晶体结构进行了表征。 SEM结果表明,沿气流方向,涂层表面逐渐致密和均匀;SiC涂层为多层结构,这种多层结构的形成可能是由于反应中产生的HCl气体吸附在表面反应活性点,从而通过活性点的阻塞机制来阻止SiC晶粒的生长。 XRD结果表明,制备的涂层中存在自由碳,各位置处的SiC晶体在(111)晶面存在择优取向,且沿气流方向(111)晶面的取向性逐渐减弱,(220)和(311)晶面的取向性逐渐增加。拉曼光谱低段频谱(200~600 cm-1)的出现表明CVD涂层中存在一定的缺陷。

关 键 词:低压化学气相沉积  沉积位置  SiC涂层  微观结构

Effect of position on microstructure of SiC coating by low pressure chemical vapor deposition
ZHANG Wei-yang,GUO Ling-jun,WANG Shao-long,JING Wei,FU Qian-gang.Effect of position on microstructure of SiC coating by low pressure chemical vapor deposition[J].Journal of Solid Rocket Technology,2014(5).
Authors:ZHANG Wei-yang  GUO Ling-jun  WANG Shao-long  JING Wei  FU Qian-gang
Abstract:
Keywords:low pressure chemical vapor deposition ( LPCVD)  position  SiC coating  microstructure
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