| 磁阻式随机存储器（MRAM）重离子单粒子效应试验研究 |
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| 引用本文： | 戈勇, 高一, 梅博, 等. 磁阻式随机存储器（MRAM）重离子单粒子效应试验研究[J]. 航天器环境工程, 2018, 35(6): 561-567doi:10.12126/see.2018.06.009 |
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| 作者姓名： | 戈勇 高一 梅博 于庆奎 孙毅 张洪伟 |
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| 作者单位： | 1.南京理工大学 自动化学院,南京 210094;2.航天材料及工艺研究所,北京 100076;3.中国航天宇航元器件工程中心,北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上项目“化合物器件不同能量质子位移损伤因子与非电离能损相关研究”（编号：11475256）;国家自然科学基金重点项目“先进非易失存储器辐照效应与加固技术基础研究”（编号：61634008） |
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| 摘 要： | 磁阻式随机存储器（MRAM）作为非电荷存储的非易失存储器在抗辐射性能上有一定的优势,在空间有较好的应用前景。文章分析了MRAM的工作原理,选取典型的MR0A08BCYS35型MRAM存储器为研究对象,进行了重离子单粒子效应敏感性试验研究,在此基础上,利用专用软件Fore CAST计算预估了该种器件空间应用条件下的单粒子在轨翻转率,给出了在轨应用的具体建议。
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| 关 键 词： | MRAM 单粒子效应 单粒子翻转 单粒子锁定 翻转率 |
| 收稿时间： | 2017-12-08 |
| 修稿时间： | 2018-12-03 |
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