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| 非晶态NiSiB薄膜电阻的弛豫 | |
| 作者姓名： | 祁祥麟 |
| 作者单位： | 1. 北京航空航天大学 应用数理系; 2. 北京工业大学 计算机学院 |
| 摘 要： | 用射频溅射制备了一组厚度不同的NiSiB非晶态薄膜.在不同温度下,用不同时间对薄膜进行了循环退火.实验测量了循环退火后的薄膜电阻随温度的变化,得到可逆和不可逆两组曲线.厚度较大(>1 000)的薄膜,电阻随温度的增加而增大,厚度较小(<400)的薄膜,电阻随温度的增加而减小.电阻温度系数有正有负.从非晶态材料的结构弛豫出发,应用激活能谱模型和推广的Ziman理论讨论了实验所得的结果. |
| 关 键 词： | 薄膜 电阻 弛豫 电阻温度系数 可逆和不可逆结构弛豫 |
| 收稿时间： | 1996-07-10 |
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