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| 标准单元抗单粒子闩锁效应加固设计 | |
| 作者姓名： | 王 轩 巨 艇 周国昌 赖晓玲 唐 硕 |
| 作者单位： | 中国空间技术研究院西安分院,西安,710000;中国空间技术研究院西安分院,西安,710000;中国空间技术研究院西安分院,西安,710000;中国空间技术研究院西安分院,西安,710000;中国空间技术研究院西安分院,西安,710000 |
| 摘 要： | 文章针对130纳米CMOS工艺标准单粒子闩锁效应问题，开展了Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS）器件单粒子闩锁效应产生的物理机理分析, 提出了一套适合于不同类型标准单元版图加固方法；基于SMIC0.13μm工艺进行了物理建模仿真和电路实现。仿真结果显示，在遭受LET值为120MeV/mg/cm2的重离子辐射时，所设计的电路未发生闩锁效应。 |
| 关 键 词： | 集成电路 标准单元 单粒子闩锁 |
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