CMOS集成电路的辐射损伤——MOS场效应晶体管的阈电压偏移

用0.74兆电子伏单能电子辐照了上海元件五厂生产的CMOS集成电路5G871。辐照过程中P沟道管和N沟道管各有处于导通和截止两种状态的。测量了P沟道管和N沟道管的阈电压偏移与辐射剂量之间的关系。发现,辐射过程中导通的P沟道管对辐射最为敏感,其阈电压偏移1伏相对应的辐射剂量仅为1.54×10~4拉德(Si)。考虑了温度效应和剂量率对实验结果的影响。分析了辐射损伤机制,指出钠离子污染是最主要的因素,因而,作为抗辐射加固的主要措施,首先应降低钠离子污染浓度。