总剂量与单粒子协合效应对SRAM单粒子翻转敏感性影响的仿真研究

静态随机存储器（SRAM）在空间环境中可能会受到总电离剂量（TID）效应和单粒子效应（SEE）协合作用的影响，导致器件单粒子翻转（SEU）的敏感性发生改变。文章针对90 nm的SRAM器件，通过器件级和电路级的综合仿真手段，利用计算机辅助设计（TCAD）和集成电路模拟程序（SPICE）软件研究TID和SEE的协合作用对SRAM器件SEU敏感性的影响机制。发现：当TID和SEE作用在器件相反工作阶段（即存储相反数据）时，SEU敏感性随着总剂量的增加而增强；当TID和SEE作用在器件相同工作阶段（即存储相同数据）时，SEU敏感性随着总剂量的增加而减弱。其原因主要是SRAM的一个下拉NMOS管受到总剂量辐照发生损伤后，引起电路恢复时间和反馈时间的改变，并且恢复过程和反馈过程对SEU敏感性的贡献程度不同。以上模拟结果可为存储器件的抗辐射加固设计提供参考。

Simulation study on the synergistic effect of TID and SEE on SEU sensitivity of SRAM