| 高能重离子径迹结构对单粒子翻转的影响 |
| |
| 引用本文： | 韩建伟. 高能重离子径迹结构对单粒子翻转的影响[J]. 空间科学学报, 2000, 20(4): 333-339. doi: 10.11728/cjss2000.04.333 |
| |
| 作者姓名： | 韩建伟 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院空间科学与应用研究中心北京 100080 |
| |
| 摘 要： | 利用解析法计算了高能重离子的径迹结构,通过MonteCarlo方法研究了径迹结构对微电子芯片单粒子翻转的影响.结果表明,考虑了径迹结构的影响后,当离子能量较高时,具有小尺寸灵敏单元、低翻转阈值的芯片的翻转截面较传统的LET描述结果小许多;当离子更重时,这种差别对灵敏单元尺寸较大、翻转阈值较高的芯片也变得较明显.即离子径迹结构的影响是通过其有效地沉积到灵敏单元中的能量与翻转阈值相比较而表现出来的.还研究了作用距离较深、结构宽大的径迹造成的相邻多个灵敏单元的同时翻转,即多位翻转现象,这是用LET所不能反映的.
|
| 关 键 词： | 高能重离子—径迹结构—单粒子翻转—多位翻转 |
| 收稿时间： | 1999-07-13 |
| 修稿时间： | 1999-07-13 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《空间科学学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《空间科学学报》下载免费的PDF全文 |
|
