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| 基底沉积温度对WO3薄膜电致变色特性的影响 | |
| 作者姓名： | 张金伟%刁训刚%王怀义%黄俊%舒远杰 |
| 作者单位： | 1. 北京航空航天大学,北京,100083 2. 中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳,621900 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;中国工程物理研究院"双百"人才基金 |
| 摘 要： | 分别在室温和基片温度低于223 K的条件下,采用直流反应磁控溅射法制备WO3薄膜。对两种条件下制备的薄膜晶体结构、透射光谱特性及电致变色性能进行对比分析。结果表明,低温沉积有利于WO3薄膜非晶化,使得Li^＋的抽取更加容易,进而显示出良好的变色性能。低温制备的WO3薄膜在可见光400-800nm范围内着色态和漂白态平均透光率差值达70%以上,在690 nm处的着色系数达到了48.7 cm^2/C,具有良好的变色效率。 |
| 关 键 词： | 低温 三氧化钨 电致变色 非晶态 |
| 修稿时间： | 2007-06-25 |
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