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| GaAs PHEMT的I-V特性退化机理综述 | |
| 作者姓名： | 何述万 董濛 周虎 梁晓新 周智勇 阎跃鹏 王魁松 |
| 作者单位： | 1.中国科学院微电子研究所，北京 100029；2.新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室，北京 100029;国家发展和改革委员会创新驱动发展中心（数字经济研究发展中心），北京 100045 |
| 摘 要： | 新一轮信息技术发展背景下，砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注，文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能，推导晶体管的I-V特性方程，建立器件物理层面的参量与电路层级的参数之间的映射关系，以此寻找其阈值电压、漏源电流及跨导等性能参数的退化规律。为使性能退化过程的叙述条理清晰，文章将主要退化失效机理划分为结构缺陷、电热应力和环境因素三个方面。为舒缓减轻晶体管的退化失效程度，文章从结构材料、加工工艺和电路设计等方面探讨性能的改进空间和优化途径。 |
| 关 键 词： | 砷化镓 I-V特性 层结构 退化失效机理 工艺改进 |
A review of the I-V characteristics degradation mechanism of GaAs PHEMT |
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| Authors: | HE Shuwan DONG Meng ZHOU Hu LIANG Xiaoxin ZHOU Zhiyong YAN Yuepeng WANG Kuisong |
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