基于液体金属的接触PIM抑制方法和实验验证

接触非线性是射频设备和电路中产生无源互调（passive intermodulation,PIM）信号的重要原因之一。基于对接触结点射频等效电路的分析,提出了一种基于共晶镓铟合金（eutectic gallium-indium,EGaIn）的PIM抑制方法。EGaIn不同于传统的焊锡,它可以在室温下实现接触结位置上的稳定、可重构连接。首先分析了射频（radio frequency,RF）下的金属接触结的电路模型。其次设计并实现了两个包含不同金属接触结构且工作在2.6GHz的平面倒F天线（planar inverted F antenna,PIFA）。最后比较了EGaIn焊接前后PIFA的互调水平,其中对PIM指标的最大抑制程度为35dB。验证了EGaIn可以在室温下对PIFA的接触结点进行可重构焊接,这为电连接中的非线性抑制提供了一种参考方法。