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| 一种考虑温度影响的SiC JFET的数据驱动模型 | |
| 引用本文： | 朱 萍,王 莉,阮立刚.一种考虑温度影响的SiC JFET的数据驱动模型[J].南京航空航天大学学报,2014,46(1):150-158. |
| 作者姓名： | 朱 萍 王 莉 阮立刚 |
| 作者单位： | 南京航空航天大学自动化学院 |
| 摘 要： | 提出了基于数据驱动建模思想建立考虑温度影响的常断型SiC JFET器件模型的方法,解决了目前物理建模方法应用于功率半导体器件建模过程中器件自身结构、材料等参数获取困难的问题。根据常断型SiC JFET器件手册的图表信息并结合部分实测数据,在Saber软件中建立其热电耦合模型。通过对其静态特性和动态特性的仿真和实验研究,验证了考虑温度影响的常断型SiC JFET数据驱动模型的准确性。该数据驱动建模方法可以推广应用于其他功率半导体器件如功率SiC MOSFETs和GaN FETs等的建模。 |
| 关 键 词： | 电力电子与电力传动 数据驱动模型 碳化硅 温度影响 |
Data Driven Model for SiC JFET with Thermal Effects |
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| Abstract: | |
| Keywords: | power electronics and power drives data driven model silicon carbide(SiC) temperature effect |
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