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| GaAs衬底上强介质BaMgF4膜的形成 | |
| 引用本文： | 赵虹.GaAs衬底上强介质BaMgF4膜的形成[J].航天制造技术,1997(4):26-29. |
| 作者姓名： | 赵虹 |
| 作者单位： | 陕西骊山微电子公司 |
| 摘 要： | 研究了GaAs衬底上形成强介质BaMgF4膜的最佳条件，在BaMgF4源的真空蒸发中已经发现低温淀积和随后的高温退火的结合对于形成不含BaF2和MgF2晶体的BaMgF4膜是有效的。最佳淀积温度和退火温度分别是300℃和600℃C，描述了最佳膜的结晶性和电特性。 |
| 关 键 词： | GaAs衬底 强介质 BaMgF_4膜 |
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