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| 半导体器件的静电损伤及防护 | |
| 引用本文： | 邓永孝.半导体器件的静电损伤及防护[J].航天制造技术,1993(6):28-31. |
| 作者姓名： | 邓永孝 |
| 作者单位： | 航空航天部半导体器件失效分析中心 |
| 摘 要： | 静电放电(ESD)损伤失效是半导体器件的重要失效原因。从静电产生、静电放电ESD损伤模型、抗静电能力分类、ESD的失效模式、使用中的防静电损伤措施等二方面予以介绍。其目的是为用户提供防静电损伤的科学依据。 |
| 关 键 词： | 静电产生机理 防护措施 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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