| SOI/SIMOX-CMOS器件的研究 |
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| 引用本文： | 温梦全.SOI/SIMOX-CMOS器件的研究[J].北京航空航天大学学报,2001,27(1):109-111. |
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| 作者姓名： | 温梦全 |
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| 作者单位： | 北京航空航天大学 理学院 |
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| 基金项目： | 北京航空航天大学校科研和教改项目;; |
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| 摘 要： | 研究SOI-SIMOX(Silicon On Insulation-Separation by Implanted Oxygen)材料及SIMOX-CMOS器件.高能大剂量(170keV,1.5×1018/cm2)氧离子注入到P型(100)单晶Si衬底,再经高温长时间(1300℃,6h)退火,形成SIMOX结构材料.经测试,SIMOX表层单晶硅膜反型为N型,研究表明,这是由于在制备SIMOX的工艺中,残留在SIMOX表层硅膜内的氧离子起施主作用所致,并计算出氧杂质在硅中的施主电离能,其值为0.15eV.采用SIMOX材料研制了MOSFET及CMOS三3输入端与非门电路,并介绍了研制SIMOX-CMOS器件的主要工艺.
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| 关 键 词： | 半导体材料 半导体器件 与非门电路 SOI－SIMOX材料 SIMOX－CMOS器件 |
| 文章编号： | 1001-5965(2001)01-0109-03 |
| 收稿时间： | 1999-08-24 |
| 修稿时间： | 1999年8月24日 |
Fabrication of SIMOS/SOI CMOS IC’s |
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| WEN Meng-quan.Fabrication of SIMOS/SOI CMOS IC’s[J].Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics,2001,27(1):109-111. |
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| Authors: | WEN Meng-quan |
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| Institution: | Beijing University of Aeronautics and Astronautics, School of Science |
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| Abstract: | SOI-SIMOX(Silicon On Insulator-Separation by Implanted Oxygen) materials were formed by large dose(1.5×1018/cm2) oxygen ion implantation into p-type (100) Si wafers at energy of 170keV and annealing in nitrogen at 1300℃ for 6h.The carriers in the top silicon layers of the SIMOX are reversed from P-type into N-type.The reversion is resulted from the residual oxygen atoms in the top Si layers,which play the role of donors and over-compensate the acceptors in the virgin p-type Si.The oxygen donor ionization energy is 0.15eV.The MOSFETs and CMOS triple 3-input NAND gate circuits(CC4023) were fabricated on SIMOS/SOI materials.The CMOS/SIMOX process is briefly introduced. |
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| Keywords: | SOI SIMOX CMOS |
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