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| 静态存储器单粒子翻转率预示的在轨验证 | |
| 引用本文： | 张庆祥,杨兆铭,侯明东.静态存储器单粒子翻转率预示的在轨验证[J].航天器环境工程,2009,26(6):506-509. |
| 作者姓名： | 张庆祥 杨兆铭 侯明东 |
| 作者单位： | 1. 中国空间技术研究院,研究发展部,北京,100094 2. 兰州物理研究所,兰州,730000 3. 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000 |
| 摘 要： | sram型fpga配置区的单粒子翻转可能对系统的功能产生严重的影响,因此必须进行针对性的加固措施,而加固的重要依据之一是在轨翻转率结果.文章将地面获得的hitachi 4mb sram hi628512单粒子翻转率预示结果与搭载在极轨卫星sac-c等上的飞行试验的结果进行了比较.分析表明基于国内地面试验数据和fom方法预示的在轨翻转率与国外的在轨监测数据接近,多位翻转的试验结果也得到了在轨试验数据的验证.这些结果表明我国在单粒子翻转的模拟试验技术和在轨翻转率预示方面取得了相当的进展,可以为卫星电子系统抗辐射加固设计提供有力的保障. |
| 关 键 词： | 静态存储器 单粒子翻转 多位翻转 fom方法 在轨监测 |
| 收稿时间： | 6/2/2009 12:00:00 AM |
Verification of predicted single event upset rate for commercial static random access memory (SRAM) |
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| Zhang Qingxiang,Yang Zhaoming and Hou Mingdong.Verification of predicted single event upset rate for commercial static random access memory (SRAM)[J].Spacecraft Environment Engineering,2009,26(6):506-509. | |
| Authors: | Zhang Qingxiang Yang Zhaoming and Hou Mingdong |
| Institution: | China Academy of Space Technology, Beijing 100094, China;;Lanzhou Institute of Physics, Lanzhou 730000, China;;Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China |
| Abstract: | |
| Keywords: | static random access memory(SRAM) single- event upsets(SEUs) multiple bit upset figure of merit(FOM) method orbital monitoring |
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