| MEMS晶圆PCM应力表征结构设计与试验验证 |
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| 作者姓名： | 刘 艳 苏亚慧 丁 一 喻 磊 周六辉 凤 瑞 |
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| 作者单位： | 华东光电集成器件研究所 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划“智能传感器”专项（2021YFB3201502） |
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| 摘 要： | 针对微机电系统（Micro Electro Mechanical System，MEMS）惯性器件受微加工应力影响显著的问题，设计了一种推拉差分式MEMS晶圆工艺控制监控（Process Control Monitor，PCM）应力表征结构，实现了对MEMS晶圆不同位置应力的测量，避免了电学测试过程中采用晶圆探针引入额外应力的问题。建立了该应力表征结构的数值仿真模型，根据仿真结果对应力表征结构的尺寸参数进行了优化设计，并实际加工了推拉差分式MEMS晶圆应力表征结构。应力表征结构反映出实际加工的MEMS晶圆中不同位置应力大小、方向和应力分布情况。试验结果表明，MEMS晶圆整体上以拉应力为主，同时呈现一种中心挤压变形，外围拉伸变形的状态。沿（100）晶向的最大拉应力在表征结构上产生了18.9μm位移，最大压应力产生了-34.2μm位移；沿（110）晶向的最大拉应力在表征结构上产生了15.0μm位移，最大压应力产生了-57.8μm位移。
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| 关 键 词： | MEMS PCM 应力 晶圆键合 |
Design and Experiment of MEMS Wafer PCM Stress Characterization Structure |
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| Authors: | LIU Yan SU Yahui DING Yi YU Lei ZHOU Liuhui FENG Rui |
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| Institution: | East China Institute of Photo Electron IC |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEMS PCM stress wafer bonding |
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